[發明專利]二極管的表面損壞控制

在審

• 申請號: 202210041511.2
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN114520258A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 吳亭瑩;陳永祥;葉玉隆;陳彥秀;陳威良;何盈蒼
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 朱亦林

本公開總體涉及二極管的表面損壞控制。公開了一種半導體器件及其形成方法。該半導體器件包括襯底、設置在襯底內的第一阱區域、設置為與第一阱區域相鄰并且在襯底內的第二阱區域、以及設置在第一阱區域內的阱區域陣列。第一阱區域包括第一類型摻雜劑，第二阱區域包括不同于第一類型摻雜劑的第二類型摻雜劑，并且阱區域陣列包括第二類型摻雜劑。該半導體器件還包括設置在阱區域陣列上并且在襯底內的金屬硅化物層、設置在金屬硅化物層上并且在襯底內的金屬硅化物氮化物層、以及設置在金屬硅化物氮化物層上的接觸件結構。

技術領域

本公開總體涉及二極管的表面損壞控制。

背景技術

隨著半導體技術的進步，對更高存儲容量、更快處理系統、更高性能和更低成本的需求不斷增加。為了滿足這些需求，半導體行業不斷按比例縮小半導體器件的尺寸，例如金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，包括平面MOSFET和鰭式場效應晶體管(finFET)。這種按比例縮小增加了半導體制造工藝的復雜性。

發明內容

根據本公開的一個實施例，提供了一種半導體器件，包括：襯底；第一阱區域，設置在所述襯底內，其中，所述第一阱區域包括第一類型摻雜劑；第二阱區域，設置為與所述第一阱區域相鄰并且在所述襯底內，其中，所述第二阱區域包括不同于所述第一類型摻雜劑的第二類型摻雜劑；阱區域陣列，設置在所述第一阱區域內，其中，所述阱區域陣列包括所述第二類型摻雜劑；金屬硅化物層，設置在所述阱區域陣列上并且在所述襯底內；金屬硅化物氮化物層，設置在所述金屬硅化物層上并且在所述襯底內；以及接觸件結構，設置在所述金屬硅化物氮化物層上。

根據本公開的另一實施例，提供了一種半導體器件，包括：襯底；第一阱區域，設置在所述襯底內；第二阱區域，設置為與所述第一阱區域相鄰并且在所述襯底內；阱區域陣列，設置在所述第一阱區域內；硅化物層，設置在所述阱區域陣列上并且在所述襯底內；硅化物氮化物層，設置在所述襯底上；以及接觸件結構，設置在所述硅化物氮化物層上。

根據本公開的又一實施例，提供了一種制造半導體器件的方法，包括：在襯底內形成具有第一類型摻雜劑的第一阱區域；在所述第一阱區域內形成具有第二類型摻雜劑的阱區域陣列，其中，所述第二類型摻雜劑不同于所述第一類型摻雜劑；在所述阱區域陣列上以及在所述襯底內形成金屬硅化物層；在所述金屬硅化物層上以及在所述襯底內形成金屬硅化物氮化物層；以及在所述金屬硅化物氮化物層上形成接觸件結構。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，從以下詳細描述可以最佳地理解本公開的各方面。

圖1A-圖1B示出了根據一些實施例的二極管的截面圖。

圖1C示出了根據一些實施例的二極管的器件特性。

圖2是根據一些實施例的用于制造二極管的方法的流程圖。

圖3-圖19示出了根據一些實施例的二極管在其制造過程的各個階段的截面圖。

圖20-圖21示出了根據一些實施例的在二極管的制造中使用的帽蓋層的晶體結構。

現在將參考附圖來描述說明性實施例。在附圖中，相同的附圖標記通常表示相同、功能相似和/或結構相似的要素。除非另有說明，否則對具有相同標注的要素的討論彼此適用。

具體實施方式

以下公開內容提供了用于實現所提供主題的不同特征的許多不同的實施例或示例。下文描述了組件和布置的具體示例以簡化本公開。當然，這些僅是示例而不意圖是限制性的。例如，在下面的說明中，用于在第二特征之上形成第一特征的工藝可以包括以直接接觸的方式形成第一特征和第二特征的實施例，并且還可以包括可在第一特征和第二特征之間形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接觸的實施例。如本文所使用的，在第二特征上形成第一特征表示第一特征與第二特征直接接觸地形成。此外，本公開可以在各個示例中重復參考標號和/或字母。這種重復本身不指示本文討論的實施例和/或配置之間的關系。