[發明專利]一種基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置在審
| 申請號： | 202210041415.8 | 申請日： | 2022-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN114415079A | 公開（公告）日： | 2022-04-29 |
| 發明（設計）人： | 邵雅斌;陳晨;賈煬;于海龍;劉佳;馮恒利;張揚;吳桐 | 申請（專利權）人： | 浙江樹人學院（浙江樹人大學） |
| 主分類號： | G01R33/032 | 分類號： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 許攀 |
| 地址： | 312028 浙江省紹*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 赫茲 吸收 磁場 探測 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于，包括襯底、拓撲絕緣體層、磁致伸縮材料，所述拓撲絕緣體層置于所述襯底上，所述拓撲絕緣體層的表面設有空腔，所述磁致伸縮材料填充所述空腔。
2.如權利要求1所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述襯底的材料為氧化鋁。
3.如權利要求1所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述拓撲絕緣體層的材料為硒化鉍。
4.如權利要求1所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述空腔為圓形。
5.如權利要求1所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述空腔不貫穿所述拓撲絕緣體層。
6.如權利要求5所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述空腔的底部與所述拓撲絕緣體層的底面之間的距離小于200納米。
7.如權利要求1所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述磁致伸縮材料為超磁致伸縮材料。
8.如權利要求7所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述超磁致伸縮材料為TbDyFe材料。
9.如權利要求1所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述空腔周期性排布。
10.如權利要求9所述的基于太赫茲波吸收的磁場探測裝置，其特征在于：所述空腔排布的周期為方形周期。
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