[發明專利]電路結構及其控制方法在審
| 申請號: | 202210041230.7 | 申請日: | 2022-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN114421938A | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發明(設計)人: | 張家瑞 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/22 | 分類號: | H03K17/22;G11C5/06 |
| 代理公司: | 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453 | 代理人: | 苗源 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路 結構 及其 控制 方法 | ||
本公開提供一種電路結構及其控制方法。該電路結構包括:電連接模塊,包括N個電連接結構,每個電連接結構的兩端分別連接第一開關單元和第二開關單元;第一電路模塊,用于根據電連接結構的第一側的電壓變化控制第一開關單元的導通或關閉;第二電路模塊,用于根據電連接結構的第二側的電壓變化控制第二開關單元的導通或關閉;在第一開關單元和第二開關單元同時處于導通狀態時,數據從第一開關單元傳遞至第二開關單元,或者,數據從第二開關單元傳遞至第一開關單元。從而使得電連接結構能夠實現數據的雙向傳輸,提高了采用該電路結構的電器件例如半導體器件的性能。
技術領域
本公開涉及半導體技術領域,尤其涉及一種電路結構及其控制方法。
背景技術
在電路結構中,各器件單元之間通過電連接結構實現電連接,例如,在層疊式存儲器件中,各層半導體芯片之間通常是通過硅通孔(Through Silicon Via,TSV)實現電連接。
上述通過硅通孔實現電連接的半導體芯片之間,難以通過硅通孔進行數據的雙向傳輸,限制了層疊式存儲器件的性能。
發明內容
以下是對本公開詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
本公開提供一種電路結構及其控制方法。
根據本公開實施例的第一方面,提供一種電路結構,包括:
電連接模塊,包括N個電連接結構,每個所述電連接結構的兩端分別連接第一開關單元和第二開關單元,其中,N為大于或等于1的正整數;
第一電路模塊,用于根據所述電連接結構的第一側的電壓變化控制所述第一開關單元的導通或關閉;
第二電路模塊,用于根據所述電連接結構的第二側的電壓變化控制所述第二開關單元的導通或關閉;
其中,在所述第一開關單元和所述第二開關單元同時處于導通狀態時,數據從所述第一開關單元傳遞至所述第二開關單元,或者,數據從所述第二開關單元傳遞至所述第一開關單元。
本公開的一些實施例中,所述第一電路模塊包括N個充電電路和N個第一檢測電路,每個所述第一檢測電路的第一端以及所述充電電路均與對應的所述電連接結構的第一側連接,每個所述第一檢測電路的第二端連接所述第一開關單元的控制端;
所述第二電路模塊包括N個放電電路和N個第二檢測電路,每個所述第二檢測電路的第一端以及所述放電電路均與對應的電連接結構的第二側連接,每個所述第二檢測電路的第二端連接所述第二開關單元的控制端;
所述充電電路用于將對應的所述電連接結構充電至第一電壓電平,所述放電電路用于將對應的所述電連接結構放電至第二電壓電平,所述第一檢測電路用于根據相連接的所述電連接結構的第一側的電壓電平變化,控制所述第一開關單元的導通或關閉,所述第二檢測電路用于根據相連接的所述電連接結構的第二側的電壓電平變化,控制所述第二開關單元的導通或關閉。
本公開的一些實施例中,所述第一檢測電路包括第一觸發器和第一反相器,所述第一觸發器的輸出端連接所述第一開關單元的控制端,所述第一觸發器的時鐘輸入端連接所述第一反相器的輸出端,所述第一反相器的輸入端與對應的所述電連接結構的第一側連接;
所述第二檢測電路包括第二觸發器和第二反相器,所述第二觸發器的輸出端連接所述第二開關單元的控制端,所述第二觸發器的時鐘輸入端連接所述第二反相器的輸出端,所述第二反相器的輸入端與對應的所述電連接結構的第二側連接。
本公開的一些實施例中,所述第一檢測電路包括第一晶體管,所述第一反相器的輸入端連接所述第一晶體管的第一極,所述第一晶體管的第二極接地,所述第一晶體管的柵極連接上電信號的反向信號;
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