[發明專利]三維存儲器件及其制作方法

在審

• 申請號: 202210040325.7
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN114256246A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 孔果果;童宇誠;周運帆;何世偉;莊夢琦;吳岡;戴燦發
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11519;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11565
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 陳超德;吳昊

1.一種三維存儲器件，其特征在于，包括：

襯底；

存儲堆疊結構，設置在所述襯底上，包括多組導電-電介質層對；

第一階梯結構，位于所述存儲堆疊結構的第一側；

第二階梯結構，位于所述存儲堆疊結構的第二側；

第三階梯結構，位于所述存儲堆疊結構的第三側，其中自所述襯底的表面，所述第一階梯結構、所述第二階梯結構以及所述第三階梯結構的臺階分別位于不同高度處；以及

通道結構，沿著垂直方向貫穿所述存儲堆疊結構及電介質層、蝕刻停止層。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，還包括第四階梯結構，位于所述存儲堆疊結構的第四側。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器件，其特征在于，自所述襯底的所述表面，所述第一階梯結構、所述第二階梯結構、所述第三階梯結構以及所述第四階梯結構的臺階分別位于不同高度處。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器件，其特征在于，在所述第一階梯結構的相鄰臺階之間、所述第二階梯結構的相鄰臺階之間、所述第三階梯結構的相鄰臺階之間以及所述第四階梯結構的相鄰臺階之間均相差四組所述導電-電介質層對的高度。

5.根據權利要求3所述的三維存儲器件，其特征在于，還包括：

第五階梯結構，位于第一階梯結構和第三階梯結構之間；以及

第六階梯結構，位于第二階梯結構和第三階梯結構之間，其中自所述襯底的所述表面，所述第五階梯結構與所述第四階梯結構的臺階位于相同高度處，所述第六階梯結構與所述第一階梯結構的臺階位于相同高度處。

6.根據權利要求2所述的三維存儲器件，其特征在于，自所述襯底的所述表面，所述第三階梯結構以及所述第四階梯結構的臺階位于相同高度處。

7.根據權利要求6所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第一階梯結構的相鄰臺階之間、所述第二階梯結構的相鄰臺階之間、所述第三階梯結構的相鄰臺階之間以及所述第四階梯結構的相鄰臺階之間均相差三組所述導電-電介質層對的高度。

8.一種三維存儲器件的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成存儲堆疊結構，包括多組導電-電介質層對，其中所述存儲堆疊結構的四側分別包括第一區、第二區、第三區以及第四區；

對所述第一區進行第一蝕刻工藝，移除一組所述導電-電介質層對；

對所述第二區進行第二蝕刻工藝，移除兩組所述導電-電介質層對；以及

所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝之后，對所述存儲堆疊結構進行修整-蝕刻工藝，以分別于所述第一區、所述第二區、所述第三區以及所述第四區同時形成第一階梯結構、第二階梯結構、第三階梯結構以及第四階梯結構，其中自所述襯底的表面，所述第一階梯結構、所述第二階梯結構以及所述第三階梯結構的臺階分別位于不同高度處。

9.根據權利要求8所述的三維存儲器件的制作方法，其特征在于，所述修整-蝕刻工藝包括：

步驟a，形成一遮罩層于所述存儲堆疊結構上；

步驟b，修整所述遮罩層，顯露出所述存儲堆疊結構的所述第一區、所述第二區、所述第三區以及所述第四區的部分頂面；

步驟c，以所述遮罩層為蝕刻遮罩對所述存儲堆疊結構進行蝕刻，分別在所述第一區、所述第二區、所述第三區以及所述第四區同時形成一個臺階，其中步驟b包括蝕刻三組所述導電-電介質層對；以及

步驟d，循環進行步驟b和c，獲得所述第一階梯結構、所述第二階梯結構、所述第三階梯結構以及所述第四階梯結構的多個臺階。

10.根據權利要求8所述的三維存儲器件的制作方法，其特征在于，還包括在所述修整-蝕刻工藝之前對所述第三區進行第三蝕刻工藝，移除三組所述導電-電介質層對。