[發明專利]一種疊瓦太陽能電池的擴散方法和疊瓦太陽能電池

在審

• 申請號: 202210036772.5
• 申請日: 2022-01-13
• 公開（公告）號: CN114496747A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 龐瑞卿;呂闖;李吉;時寶;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 天津愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L31/18
• 代理公司: 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333
• 代理人: 張紅偉

本申請適用于太陽能電池技術領域，提供了一種疊瓦太陽能電池的擴散方法和疊瓦太陽能電池。疊瓦太陽能電池的擴散方法包括：在硅片的電阻率大于或等于預設電阻率閾值的情況下，對磷沉積處理后的硅片進行第一預設次數的推進處理；在硅片的電阻率小于預設電阻率閾值的情況下，對磷沉積處理后的硅片進行第二預設次數的推進處理。如此，可以有針對性地提高硅片制成的疊瓦太陽能電池的PN結結深和擊穿電壓，提高疊瓦太陽能電池的光電轉換效率。

技術領域

本申請屬于太陽能電池技術領域，尤其涉及一種疊瓦太陽能電池的擴散方法和疊瓦太陽能電池。

背景技術

疊瓦太陽能電池組件是將單片大面積電池片切割分成多個小面積電池片，再將每片小電池片的邊緣正電極與相鄰小電池片的邊緣背電極貼合在一起組成串。這種排版方式避免了電池片之間空白間隙，提高了組件的封裝密度和組件功率密度。疊瓦太陽能電池組件的工作電流只有切割之前的N分之一，不過工作電壓隨之升高至切割前的N倍，工作電壓的升高帶來電池片PN結擊穿或者漏電流上升的風險。

相關技術中的疊瓦太陽能電池采用的硅片的電阻率的范圍過于寬泛，導致部分硅片制作成的電池片擊穿電壓不足。而且，相關技術中電池PN結結深較淺，漿料中的金屬在燒結時會滲透進入PN結，造成PN結的漏電風險。疊瓦太陽能電池組件工作電壓升高后漏電風險會進一步增加，PN結發生擊穿的風險也會進一步增加。

基于此，如何對硅片進行擴散處理以提高疊瓦太陽能電池的PN結結深和擊穿電壓，成為了亟待解決的問題。

發明內容

本申請提供一種疊瓦太陽能電池的擴散方法和疊瓦太陽能電池，旨在解決如何對硅片進行擴散處理以提高疊瓦太陽能電池的PN結結深和擊穿電壓的問題。

第一方面，本申請提供的疊瓦太陽能電池的擴散方法，在硅片的電阻率大于或等于預設電阻率閾值的情況下，對磷沉積處理后的硅片進行第一預設次數的推進處理；

在硅片的電阻率小于所述預設電阻率閾值的情況下，對磷沉積處理后的硅片進行第二預設次數的推進處理。

可選地，所述預設電阻率閾值的范圍為0.6Ω·cm-0.8Ω·cm。

可選地，所述預設電阻率閾值為0.7Ω·cm。

可選地，所述第一預設次數為1次，所述第二預設次數為2次。

可選地，對磷沉積處理后的所述硅片進行1次或者第1次推進處理的步驟具體為：

關閉磷源；

向擴散設備中繼續通入氧氣和氮氣并對所述硅片進行升溫推進；

停止向所述擴散設備中通入氧氣，并繼續對所述硅片進行升溫推進；

對所述硅片進行恒溫推進。

可選地，對所述硅片在第1次推進的基礎上進行第2次推進處理的步驟具體為：

對所述硅片再次進行升溫推進；

對所述硅片再次進行恒溫推進。

可選地，在向擴散設備中繼續通入氧氣和氮氣并對所述硅片進行升溫推進時：

氮氣的流量的范圍為大于或等于1800sccm；

氧氣的流量的范圍為大于或等于650sccm；

升溫速率的范圍為大于7℃/min；

升溫時長的范圍為大于或等于60s；

在停止向所述擴散設備中通入氧氣并繼續對所述硅片進行升溫推進時：

升溫速率的范圍為7℃/min-20℃/min；