[發明專利]一種提高數據讀取的成功率的方法、裝置及介質有效

申請號：	202210034592.3	申請日：	2022-01-13
公開（公告）號：	CN114047887B	公開（公告）日：	2022-04-22
發明（設計）人：	張志彬;李瑞東;鐘戟	申請（專利權）人：	蘇州浪潮智能科技有限公司
主分類號：	G06F3/06	分類號：	G06F3/06;G06F16/22
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	劉珂
地址：	215100 江蘇省蘇州市吳***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種提高數據讀取成功率方法裝置介質
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【說明書】：

本發明公開了一種提高數據讀取的成功率的方法、裝置及介質，應用于固態硬盤技術領域，讀取各參考電壓下測試樣本數據的讀操作的成功樣本數并計算各成功率，其中成功樣本數為以解碼單元為單位的測試樣本數據的錯誤比特數小于解碼糾錯限值的數據；根據各成功率選取對應的參考電壓組以生成固定查表；根據固定查表的目標參考電壓讀取數據。通過收集Nand閃存周期內不同階段的參考電壓候選表所有參考電壓的讀操作信息的成功率來選取參考電壓組生成固定查表，避免在Nand閃存的終期由于芯片的老化導致的參考電壓發生偏轉從而影響讀取數據失敗的問題，提高固態硬盤的讀操作成功率，提高吞吐量和命中率，保證固態硬盤的數據存儲能力。

技術領域

本發明涉及固態硬盤技術領域，特別是涉及一種提高數據讀取的成功率的方法、裝置及介質。

背景技術

Nand 閃存（Nand Flash）是目前應用廣泛的存儲介質，其原理是通過存儲在存儲單元中不同的電荷量呈現出不同的電壓值來記錄數據。但由于Nand顆粒的電氣特性，在其生命周期中隨著閃存擦/寫次數（Program/Erase counts，PE），數據的保留時間（RetentionTime，RT），讀取次數（Read Disturb，RD）等因素的變化，會使存儲單元存儲電荷的特性發生改變，因此參考電壓軸也要隨之改變，否則會導致比特出錯率（Bit Error Rate，BER）過高，超出解碼能力導致讀取失敗。

通常情況下，普遍通過固定查表( Fixed Read Tables，FRT )解決上述情況，其固定查表的生成是Nand 閃存的生命周期不同階段的PE、RT、RD三個維度根據生產廠家提供的一份具有多個參考電壓候選表，逐步根據每個參考電壓下對多個環境周期的三個維度中選擇最優的三個參考電壓，在Nand 閃存的生命周期的前期選用參考電壓候選表生成的固定查表可以提高讀取數據的成功率，但Nand 閃存的生命周期有限，尤其在終期時隨著芯片的老化，固態硬盤對于數據的存儲能力降低，參考電壓會發生偏轉，降低了固態硬盤的讀操作成功率，同時要求達到的吞吐量也很慢，導致命中率降低。

因此，如何提高數據讀取的成功率是本領域技術人員亟需要解決的。

發明內容

本發明的目的是提供一種提高數據讀取的成功率的方法、裝置及介質。提高固態硬盤的讀操作成功率，提高吞吐量和命中率。

為解決上述技術問題，本發明提供一種提高數據讀取的成功率的方法，包括：

獲取參考電壓候選表中的多個參考電壓和以解碼單元為單位的測試樣本數據的讀操作信息；

讀取各參考電壓下測試樣本數據的讀操作的成功樣本數并計算各成功率，其中成功樣本數為測試樣本數據的錯誤比特數小于解碼糾錯限值的樣本數；

根據各成功率選取對應的參考電壓組以生成固定查表；

根據固定查表的目標參考電壓讀取數據。

優選地，參考電壓組包括第一目標參考電壓，根據各成功率選取對應的參考電壓組以生成固定查表，包括：

將各成功率從大到小進行排序生成成功率表；

在成功率表中選取各成功率大于第一限值對應的參考電壓，并將參考電壓加入第一候選表中；

選取第一候選表中成功率最大的測試樣本數據對應的參考電壓作為第一目標參考電壓并生成固定查表。