[發(fā)明專利]形成半導體裝置的方法

在審

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• 申請日: 2022-01-12
• 公開（公告）號: CN114690547A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設計）人: 王圣閔;謝艮軒
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/76
• 分類號: G03F1/76;G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，包含以下步驟：

產生具有多個主圖案集的一原始布局；

在一微影系統(tǒng)的一光瞳面上模擬該原始布局的一第一能量分布，其中該第一能量分布具有一第一波前；

通過在該原始布局的未由該些主圖案集占據的多個區(qū)域中插入多個虛設圖案集來產生一第一經修改布局；

在一微影系統(tǒng)的一光瞳面上模擬該第一經修改布局的一第二能量分布；

判定該經模擬第二能量分布的一第二波前是否比該第一能量分布的該第一波前更均勻；及

因應于該經模擬第二能量分布的第二波前被判定為比該第一能量分布的該第一波前更均勻，使用具有該第一經修改布局的一第一光罩執(zhí)行一第一微影制程。

2.如權利要求1所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，進一步包含以下步驟：

判定該經模擬第一能量分布的該第一波前是否具有一不均勻波前，其中因應于該第一波前被判定為不均勻，執(zhí)行產生該第一經修改布局。

3.如權利要求1所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，進一步包含以下步驟：

因應于該經模擬第二能量分布的該第二波前被判定為比該第一能量分布的該第一波前更不均勻，通過改變該第一經修改布局中的該些虛設圖案集的多個數目或多個位置來產生一第二經修改布局；

在該微影系統(tǒng)的該光瞳面上模擬該第二經修改布局的一第三能量分布；

判定該經模擬第三能量分布的一第三波前是否比該經模擬第二能量分布的該第二波前更均勻；及

因應于該第三能量分布被判定為比該經模擬第二能量分布的該第二波前更均勻，使用具有該第三經修改布局的一第二光罩執(zhí)行一第二微影制程。

4.如權利要求3所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，在不改變該第一經修改布局中的該些主圖案集的情況下產生該第二經修改布局。

5.如權利要求1所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，該微影系統(tǒng)為一極紫外光輻射微影系統(tǒng)，且在該微影系統(tǒng)的該光瞳面上模擬該第一經修改布局的該第二能量分布包含以下步驟：

通過將一馬克斯爾方程式應用于該第一經修改布局的一圖案來計算一近場光分布；及

對該近場光分布執(zhí)行一傅立葉轉換。

6.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，包含以下步驟：

產生具有多個主圖案集的一原始布局；

通過在該原始布局的未由該些主圖案集占據的多個區(qū)域中插入多個虛設圖案集來產生一第一經修改布局，其中多個虛設圖案集中的各者包含多個線型圖案，且該些虛設圖案集中的一第一集合的該些線型圖案在線寬度或線節(jié)距上不同于該些虛設圖案集中的一第二集合的該些線型圖案；

在一微影系統(tǒng)中使用該第一經修改布局時，基于該第一經修改布局模擬一臨界尺寸均勻性；

判定該經模擬臨界尺寸均勻性是否滿足一預定規(guī)范；及

因應于該經模擬臨界尺寸均勻性被判定為滿足該預定規(guī)范，通過使用具有該第一經修改布局的一第一光罩來圖案化一導電層，以將該第一經修改布局的該些主圖案集及該些虛設圖案集轉移至該導電層。

7.如權利要求6所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，模擬該臨界尺寸均勻性的步驟包含以下步驟：

計算一微影系統(tǒng)的該光瞳面上該第一經修改布局的一能量分布；及

使用該第一經修改布局的該能量分布模擬該臨界尺寸均勻性。

8.如權利要求6所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，進一步包含以下步驟：

因應于該經模擬臨界尺寸均勻性被判定為不滿足該預定規(guī)范，通過改變該第一經修改布局中該些虛設圖案集的該些線型圖案的多個線寬度或多個線節(jié)距來產生一第二經修改布局。