[發(fā)明專利]飽滿點的監(jiān)測方法、存儲介質(zhì)、終端和拉晶設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210033284.9
• 申請日: 2022-01-12
• 公開（公告）號: CN114387251B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設計）人: 何開振;紀步佳;董志文;楊君;莊再城;胡方明;楊國煒;紀昌杰;曹葵康;薛峰
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州天準科技股份有限公司;蘇州天準軟件有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/11;G06T7/136;G06T7/13;G06T7/62;C30B15/26;C30B29/06
• 代理公司: 北京千壹知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11940
• 代理人: 王玉玲

1.一種拉晶過程中飽滿點的監(jiān)測方法，其特征在于，方法包括：

S1、采集圖像，通過監(jiān)測相機多次曝光采集拉晶爐內(nèi)圖像；

S2、亮區(qū)域定位：將圖像縮小至ROI位置圖像；

S3、閾值分割：得到光圈區(qū)域R；

S4、狀態(tài)判斷：計算光圈區(qū)域R的面積A，通過面積A與面積閾值比較判定為常態(tài)或非常態(tài)；

S5、當判定為常態(tài)，則計算常態(tài)飽滿點突出外光圈距離d；當判定為非常態(tài)，則根據(jù)動態(tài)閾值分割算法檢測得到非常態(tài)飽滿點；步驟S5中，常態(tài)飽滿點突出外光圈距離d的計算方法為：

S51、計算光圈區(qū)域R最小外接矩形得到矩形區(qū)域R₁；

S52、對區(qū)域R₁左右縮小一個像素得到區(qū)域R₂；

S53、計算R₂與R的差值得到R₃；

S54、通過重心行篩選出R₃中下方區(qū)域R₄；

S55、對R₄閉操作得到區(qū)域R₅；

S56、對區(qū)域R₅經(jīng)輪廓提取和角度篩選后得到輪廓C₁；

S57、定位突出外光圈的區(qū)域R₆,有R₆=R₅-R₄；

S58、對區(qū)域R₆計算得到輪廓C₂；

S59、計算輪廓C₂上每點到輪廓C₁距離，得到最大距離d_max,賦值運算d=d_max，即得常態(tài)飽滿點突出外光圈的距離d。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測方法，其特征在于，步驟S2中，ROI位置圖像的選取原則為圖像包含亮區(qū)域內(nèi)光圈和外光圈的全部、部分晶柱和部分硅液面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測方法，其特征在于，步驟S3中的光圈區(qū)域R通過基于灰度值的閾值分割獲得。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測方法，其特征在于，步驟S4中，面積A基于像素點計算獲得。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的監(jiān)測方法，其特征在于，步驟S4中，面積閾值Threshold_A根據(jù)不同規(guī)格晶柱而定；狀態(tài)判定原則為：若面積A大于等于面積閾值Threshold_A，則判定為常態(tài)，若面積A小于面積閾值Threshold_A，則判定為非常態(tài)，即：

…………………………式1。

6.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機指令，其特征在于：所述計算機指令運行時執(zhí)行權(quán)利要求1-5任一項所述方法的步驟。

7.一種終端，包括存儲器和處理器，其特征在于：所述存儲器上儲存有能夠在所述處理器上運行的計算機指令，所述處理器運行所述計算機指令時執(zhí)行權(quán)利要求1-5任一項所述方法的步驟。

8.一種拉晶設備，其特征在于：所述拉晶設備包括爐體（100）、旋轉(zhuǎn)坩堝（200）、拉晶單元（300）、狀態(tài)監(jiān)測單元（400）、加料器（500）和控制器（600），所述加料器（500）穿過爐體（100）朝向旋轉(zhuǎn)坩堝（200）設置，所述旋轉(zhuǎn)坩堝（200）、拉晶單元（300）、狀態(tài)監(jiān)測單元（400）和加料器（500）與所述控制器（600）電訊可控的連接，所述狀態(tài)監(jiān)測單元（400）的監(jiān)測相機通過多次曝光采集拉爐體（100）內(nèi)晶棒的圖像；所述控制器（600）用于坩堝轉(zhuǎn)速、拉晶繩運動、硅料熔態(tài)圖像接收處理和加料需求的控制，并通過權(quán)利要求1-5任一項所述的方法計算飽滿點，并根據(jù)飽滿點維持時間判定是否可以進入后續(xù)引晶階段。