[發明專利]一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法

在審

• 申請號: 202210031228.1
• 申請日: 2022-01-12
• 公開（公告）號: CN114702083A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 于薛剛;葉友;單妍
• 申請（專利權）人: 青島科技大學
• 主分類號: C01G53/00
• 分類號: C01G53/00
• 代理公司: 青島中天匯智知識產權代理有限公司 37241
• 代理人: 孟琦

1.一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于，先制備鈷鎳層狀雙氫氧化物，該方法包括以下步驟：

(1)用稀鹽酸、丙酮、乙醇依次將泡沫鎳清洗，清洗過后的泡沫鎳在60℃的條件下真空干燥，以待使用；

(2)將適量的硝酸鈷、尿素以及氟化銨加入到50mL去離子水中配成溶液，并轉移到聚四氟乙烯內襯中，將上述清洗后的泡沫鎳放到該溶液中，超聲處理使溶質均勻分散；

(3)將上述聚四氟乙烯內襯移至反應釜中，在一定溫度下水熱反應即可制備出沉積在泡沫鎳上的鈷鎳層狀雙氫氧化物。將其用離子水以及乙醇沖洗，室溫干燥即可。

2.一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于：將負載鈷鎳層狀雙氫氧化物的泡沫鎳置于電化學三電極體系中，用作工作電極，通上一定電壓處理一段時間即可得到含有非晶結構的鈷鎳層狀雙氫氧化物。

3.按權利要求1所述的一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于硝酸鈷水溶液的濃度：0.01～0.05M。

4.按權利要求1所述的一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于水熱反應的時間控制在6～10h。

5.按權利要求1所述的一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于水熱反應的溫度控制在120～150℃。

6.按權利要求2所述的一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于電氧化的電壓控制在1.6～1.9V。

7.按權利要求2所述的一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于電氧化時間控制在2～8h。

8.按權利要求2所述的一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，其特征在于電氧化處理所處的環境為0.5～3M濃度的氫氧化鉀溶液中。

9.一種鈷鎳層狀雙氫氧化物非晶結構的控制方法，所得的鈷鎳雙氫氧化物為生長在泡沫鎳上的片狀結構，經過電氧化處理，在片狀結構邊緣會出現非晶結構；這種方式獲得的非晶結構具有可控性以及均勻性，隨著通電時間的延長，非晶結構的占比會增加。