[發明專利]像素結構和陣列、電路和方法、圖像傳感器、存儲介質

在審

• 申請號: 202210030590.7
• 申請日: 2022-01-12
• 公開（公告）號: CN114363537A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 張琦
• 申請（專利權）人: 銳芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H04N5/355
• 分類號: H04N5/355;H04N5/374;H04N5/361
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐嘉;吳敏

1.一種像素結構，其特征在于，包括：第一復位管、第一光電轉換單元、第一存儲節點、第一源跟隨器和光電存儲單元；

所述第一復位管的漏極適于輸入電源電壓，所述第一復位管的柵極適于輸入控制信號；

所述第一光電轉換單元，適于產生第一曝光電荷；

所述第一存儲節點耦接所述第一復位管的源極、所述第一源跟隨器的輸入端和所述第一光電轉換單元，所述第一存儲節點適于將所述第一曝光電荷轉換為第一曝光電壓，并提供第一源輸入電壓至所述第一源跟隨器的輸入端，所述第一源輸入電壓與所述第一曝光電荷和所述控制信號相關；

所述第一源跟隨器的輸出端耦接所述光電存儲單元，所述第一源跟隨器的輸出端適于提供第一源跟隨電壓至所述光電存儲單元，所述第一源跟隨電壓與所述第一源輸入電壓相關；

所述光電存儲單元包括：第二光電轉換單元和第一電容單元；

所述第二光電轉換單元，適于產生第二曝光電荷；

所述第一電容單元，適于將所述第二曝光電荷轉換為所述第二曝光電壓，并基于所述第一源極跟隨電壓和所述第二曝光電壓提供像素電壓。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一光電轉換單元包括：第一光電二極管和第一傳輸管；

所述第一光電二極管的陰極耦接所述第一傳輸管的源極，所述第一光電二極管的陽極接地；

所述第一傳輸管的漏極耦接所述第一存儲節點、所述第一復位管的源極和所述第一源跟隨器的輸入端。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第二光電轉換單元包括：第二光電二極管和第二傳輸管；

所述第二光電二極管的陰極耦接所述第二傳輸管的漏極，所述第二光電二極管的陽極接地；

所述第二傳輸管的源極耦接所述第一源跟隨器的輸出端。

4.如權利要求3所述的像素結構，其特征在于，所述第二光電轉換單元還包括：第二復位管；

所述第二復位管的源極耦接所述第二光電二極管的陰極，所述第二復位管的漏極適于輸入所述電源電壓。

5.如權利要求3所述的像素結構，其特征在于，所述第二光電轉換單元還包括：第二復位管和第三電容；

所述第二復位管的源極耦接所述第二光電二極管的陰極和所述第三電容的第一端，所述第二復位管的漏極耦接所述第一源跟隨器的輸出端；

所述第三電容的第二端接地。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一電容單元包括：第一電容和第一充放管；

所述第一電容的第一端連接所述第一充放管的漏極，所述第一電容的第二端接地；

所述第一充放管的源極耦接所述第一源跟隨器的輸出端。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述光電存儲單元還包括第二電容單元；

所述第二電容單元包括：第二電容和第二充放管；

所述第二電容的第一端連接所述第二充放管的漏極，所述第二電容的第二端接地；

所述第二充放管的源極耦接所述第一充放管的漏極或源極。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述光電存儲單元還包括第二電容單元；

所述第二電容單元包括：第二電容和第二充放管；

所述第二電容的第一端連接所述第二充放管的漏極，所述第二電容的第二端接地；

所述第二充放管的源極耦接所述第一源跟隨器的輸出端。

9.如權利要求8所述的像素結構，其特征在于，所述第二電容單元與所述第一電容單元串聯的耦接在所述第一源跟隨器的輸出端。

10.如權利要求8所述的像素結構，其特征在于，所述第二電容單元與所述第一電容單元并聯的耦接在所述第一源跟隨器的輸出端。

11.如權利要求8或10所述的像素結構，其特征在于，還包括：存儲開關管；所述第一源跟隨器的輸出端通過所述存儲開關管耦接所述光電存儲單元。