[發明專利]讀出電路版圖

在審

• 申請號: 202210028129.8
• 申請日: 2022-01-11
• 公開（公告）號: CN116467988A
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 楊桂芬
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F30/3947;G06F115/12
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種讀出電路版圖，其特征在于，包括：

第一PMOS版圖，用于形成第一PMOS管，所述第一PMOS管的源極連接第一信號端，所述第一信號端用于接收第一電平信號；

第一NMOS版圖，用于形成第一NMOS管，所述第一NMOS管的源極連接第二信號端，所述第二信號端用于接收第二電平信號；

所述第一電平信號和所述第二電平信號中其中一個為高電平信號，另一個為低電平信號；

所述第一PMOS管的柵極和所述第一NMOS管的柵極連接位線，所述第一PMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極連接互補讀出位線；

第二PMOS版圖，用于形成第二PMOS管，所述第二PMOS管的源極連接所述第一信號端；

第二NMOS版圖，用于形成第二NMOS管，所述第二NMOS管的源極連接所述第二信號端；

所述第二PMOS管的柵極和所述第二NMOS管的柵極連接互補位線，所述第二PMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極連接讀出位線；

在垂直于位線延伸方向上，所述第一PMOS版圖和所述第二PMOS版圖對稱設置，所述第一NMOS版圖和所述第二NMOS版圖對稱設置。

2.根據權利要求1所述的讀出電路版圖，其特征在于，還包括：

偏移消除版圖，用于形成第一偏移消除MOS管和第二偏移消除MOS管；

隔離版圖，用于形成第一隔離MOS管和第二隔離MOS管；

所述第一偏移消除MOS管和所述第一隔離MOS管設置在第一區域中，且所述第一偏移消除MOS管和所述第一隔離MOS管共用有源區；

所述第二偏移消除MOS管和所述第二隔離MOS管設置在第二區域中，且所述第二偏移消除MOS管和所述第二隔離MOS管共用有源區；

在垂直于位線延伸方向上，所述第一區域和所述第二區域對稱設置。

3.根據權利要求2所述的讀出電路版圖，其特征在于，所述第一偏移消除MOS管的源極連接所述位線，漏極連接所述互補讀出位線，柵極用于接收所述偏移消除信號；所述第二偏移消除MOS管的源極連接所述互補位線，漏極連接所述讀出位線，柵極用于接收所述偏移消除信號。

4.根據權利要求2所述的讀出電路版圖，其特征在于，所述第一隔離MOS管的源極連接所述位線，漏極連接所述讀出位線，柵極用于接收所述隔離信號；所述第二隔離MOS管的源極連接所述互補位線，漏極連接所述互補讀出位線，柵極用于接收所述隔離信號。

5.根據權利要求1所述的讀出電路版圖，其特征在于，還包括：均衡充電版圖，用于形成均衡充電模塊，其中，

所述均衡充電版圖部分設置在第一區域中，部分設置在第二區域中；

或，所述第一PMOS版圖和所述第二PMOS版圖基于所述均衡充電版圖對稱設置，所述第一NMOS版圖和所述第二NMOS版圖基于所述均衡充電版圖對稱設置，所述第一區域和所述第二區域基于所述均衡充電版圖對稱設置。

6.根據權利要求5所述的讀出電路版圖，其特征在于，所述均衡充電模塊，一端連接所述讀出位線，另一端連接所述互補讀出位線，用于將所述讀出位線和所述互補讀出位線均衡至預設電壓。

7.根據權利要求6所述的讀出電路版圖，其特征在于，所述均衡充電模塊，包括：

第一預充電MOS管，源極連接所述互補讀出位線；

第二預充電MOS管，源極連接所述讀出位線；

所述第一預充電MOS管的漏極和所述第二預充電MOS管的漏極用于接收所述預設電壓，所述第一預充電MOS管的柵極和所述第二預充電MOS管的柵極用于接收預充電信號；

均衡MOS管，源極連接所述互補讀出位線，漏極連接所述讀出位線，柵極用于接收均衡信號。