[發(fā)明專利]一種用于晶圓的膠刻蝕方法

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• 申請日: 2022-01-11
• 公開（公告）號: CN114496777A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設計）人: 王兆豐;王世寬;宋永輝
• 申請（專利權）人: 無錫尚積半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 蘇州京昀知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32570
• 代理人: 段曉玲

本發(fā)明公開了一種用于晶圓的膠刻蝕方法，涉及刻蝕技術領域。膠刻蝕方法包括：將所述晶圓置于預設腔體中；將所述預設腔體的溫度調(diào)節(jié)至預設溫度，并向所述預設腔體中充入惰性氣體；采用第一預設射頻波轟擊所述晶圓，同時采用第二預設射頻波與所述第一預設射頻波配合形成向下的牽引，以去除所述遮擋層。通過本發(fā)明，能夠提升刻蝕的均勻性。

技術領域

本發(fā)明涉及刻蝕技術領域，特別是涉及一種用于晶圓的膠刻蝕方法。

背景技術

現(xiàn)有的半導體刻蝕方法都是采用高微波轟擊來達到去膠的目的，這樣的刻膠方法無法保證整片晶圓上膠刻蝕的均勻性，另外，由于高微波的各向同性的特點，導致無法保證有圖像條件下，膠刻蝕后的圖像形貌，使得側面刻蝕比較嚴重，對圖形邊緣的Micro Lens損害嚴重，同時也直接影響其成品后的性能。

因此，如何改進刻膠方法以提升刻蝕的均勻性，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種用于晶圓的膠刻蝕方法，能夠提升刻蝕的均勻性。

本發(fā)明提供了如下方案：

一種用于晶圓的膠刻蝕方法，所述晶圓上從下至上依次覆蓋膠刻蝕層和遮擋層，所述膠刻蝕方法包括：

將所述晶圓置于預設腔體中；

將所述預設腔體的溫度調(diào)節(jié)至預設溫度，并向所述預設腔體中充入惰性氣體；

采用第一預設射頻波轟擊所述晶圓，同時采用第二預設射頻波與所述第一預設射頻波配合形成向下的牽引，以去除所述遮擋層。

可選地，所述第一預設射頻波為15-50MHz的射頻波，所述第二預設射頻波為0.5-10MHz的射頻波。

可選地，所述第一預設射頻波為27MHz的射頻波，所述第二預設射頻波為2MHz的射頻波。

可選地，所述向所述預設腔體中充入惰性氣體包括：

將所述惰性氣體吹向所述晶圓的第一表面；

所述采用第一預設射頻波轟擊所述晶圓，同時采用第二預設射頻波與所述第一預設射頻波配合形成向下的牽引層包括：

采用所述第一預設射頻波轟擊所述晶圓的第二表面，同時采用所述第二預設射頻波與所述第一預設射頻波配合形成自所述第二表面向下的牽引；

所述第一表面和所述第二表面相背設置。

可選地，所述惰性氣體包括氦氣。

可選地，所述預設溫度為小于50℃的任意一值。

可選地，所述預設溫度為30℃。

根據(jù)本發(fā)明提供的具體實施例，本發(fā)明公開了以下技術效果：

本發(fā)明提供的膠刻蝕方法采用所述第一預設射頻波和所述第一預設射頻波代替現(xiàn)有技術中的高微波進行膠刻蝕，在所述第一預設射頻波進行轟擊的同時，所述第二預設射頻波與所述第一預設射頻波配合形成向下的牽引，使膠刻蝕方法工程中，射頻波向下轟擊，從而有效地防止側面刻蝕現(xiàn)象的出現(xiàn)，并且保證了圖像邊緣的Micro Lens不受損害。

進一步地，通過溫度控制和氦氣兩者共同作用，可以使得所述晶圓的溫度分布更加均勻，比傳統(tǒng)的僅靠加熱Chuck的設備，膠的刻蝕均勻性得到明顯的提高，在一些實施例中均勻性從9％優(yōu)化到3％。

當然，本發(fā)明的實施例并不一定需要同時達到以上所述的所有優(yōu)點。

附圖說明