[發明專利]磁頭及磁記錄裝置

在審

• 申請號: 202210026346.3
• 申請日: 2022-01-11
• 公開（公告）號: CN115691564A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 中川裕治;高岸雅幸;成田直幸;永澤鶴美;前田知幸
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/31;G11B5/39
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張軼楠;段承恩

本公開提供能夠實現記錄密度的提高的磁頭及磁記錄裝置。根據實施方式，磁頭包括第1磁極、第2磁極及設置于所述第1磁極與所述第2磁極之間的層疊體。層疊體中包含的第3磁性層包含(Fe_100?xCo_x)_100?yE_y，第2元素E包含選自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一種，其中，10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％。

本申請以日本專利申請2021-125149(申請日2021年7月30日)為基礎，根據該申請而享受優先的利益。本申請通過參照該申請而包括該申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及磁頭及磁記錄裝置。

背景技術

使用磁頭，向HDD(Hard Disk Drive：硬盤驅動器)等磁記錄介質記錄信息。在磁頭及磁記錄裝置中，期望記錄密度的提高。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠實現記錄密度的提高的磁頭及磁記錄裝置。

用于解決課題的技術方案

根據本發明的實施方式，磁頭包括第1磁極、第2磁極及設置于所述第1磁極與所述第2磁極之間的層疊體。所述層疊體包括第1磁性層、設置于所述第1磁性層與所述第2磁極之間的第2磁性層、設置于所述第2磁性層與所述第2磁極之間的第3磁性層、設置于所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的第1非磁性層、設置于所述第2磁性層與所述第3磁性層之間的第2非磁性層、設置于所述第1磁極與所述第1磁性層之間的第3非磁性層及設置于所述第3磁性層與所述第2磁極之間的第4非磁性層。所述第4非磁性層包含選自Cu、Au、Cr、Al、V及Ag中的至少一種。所述第3磁性層包含(Fe_100-xCo_x)_100-yE_y(10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％)。第2元素E包含選自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一種。沿著第2方向的所述第1磁極的第1磁極長度比沿著所述第2方向的所述第2磁極的第2磁極長度短。所述第2方向相對于從所述第1磁性層向所述第2磁性層的第1方向垂直且沿著所述第1磁極的介質相對面。沿著第3方向的所述第1磁性層的第1磁性層長度比沿著所述第3方向的所述第2磁性層的第2磁性層長度長。所述第3方向相對于所述第1方向垂直。

根據上述結構的磁頭，能夠提供能實現記錄密度的提高的磁頭及磁記錄裝置。

附圖說明

圖1的(a)及圖1的(b)是例示第1實施方式的磁頭的示意圖。

圖2是例示第1實施方式的磁記錄裝置的示意性剖視圖。

圖3的(a)及圖3的(b)是例示第1實施方式的磁頭的示意圖。

圖4的(a)及圖4的(b)是例示第1實施方式的磁頭的示意圖。

圖5是例示第1實施方式的磁頭的示意性剖視圖。

圖6是例示第1實施方式的磁頭的示意性剖視圖。

圖7是例示第1實施方式的磁頭的示意性平面圖。

圖8是例示第1實施方式的磁頭的示意性平面圖。

圖9的(a)及圖9的(b)是例示第2實施方式的磁頭的示意圖。

圖10的(a)及圖10的(b)是例示第2實施方式的磁頭的示意圖。

圖11是例示第2實施方式的磁頭的示意性剖視圖。

圖12是例示第2實施方式的磁頭的示意性剖視圖。

圖13是例示第2實施方式的磁頭的示意性平面圖。

圖14是例示第2實施方式的磁頭的示意性平面圖。