[發(fā)明專利]解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210024325.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114038776B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳超;劉習(xí)軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68;H01L21/66;G03F9/00;G01B11/16 |
| 代理公司: | 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人: | 沈宗晶 |
| 地址: | 510000 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 解決 晶圓翹曲 形變 導(dǎo)致 對(duì)準(zhǔn) 偏差 方法 | ||
1.一種解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,包括:
提供待對(duì)準(zhǔn)的晶圓,將所述晶圓內(nèi)翹曲形變量小于300微米的區(qū)域設(shè)定為待檢測(cè)區(qū)域;
執(zhí)行粗對(duì)準(zhǔn)步驟,選擇所述待檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的多個(gè)對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行坐標(biāo)測(cè)量,建立粗對(duì)準(zhǔn)偏差模型;
執(zhí)行精對(duì)準(zhǔn)步驟,選擇所述待檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的其余多個(gè)對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行坐標(biāo)測(cè)量,建立精對(duì)準(zhǔn)偏差模型;以及
對(duì)比所述粗對(duì)準(zhǔn)偏差模型與所述精對(duì)準(zhǔn)偏差模型,并計(jì)算差值;
若所述差值大于設(shè)定值,則判定本次對(duì)準(zhǔn)有誤,不執(zhí)行曝光操作;若所述差值小于設(shè)定值,則判定本次對(duì)準(zhǔn)無(wú)誤,執(zhí)行曝光操作,以避免由于晶圓翹曲形變?cè)斐刹钪颠^(guò)大進(jìn)而導(dǎo)致晶圓退片的問(wèn)題。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,所述待檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的翹曲形變量均小于等于250微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,所述對(duì)位標(biāo)記的坐標(biāo)包括X方向的坐標(biāo)與Y方向的坐標(biāo),其中,X方向與Y方向垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,當(dāng)晶圓僅有X方向的翹曲形變時(shí),在所述粗對(duì)準(zhǔn)步驟與所述精對(duì)準(zhǔn)步驟中,所選擇的所述對(duì)位標(biāo)記,其X方向的坐標(biāo)位于晶圓翹曲形變量小于等于250微米的區(qū)域內(nèi),其Y方向的坐標(biāo)位于所述晶圓內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,當(dāng)晶圓僅有Y方向的翹曲形變時(shí),在所述粗對(duì)準(zhǔn)步驟與所述精對(duì)準(zhǔn)步驟中,所選擇的所述對(duì)位標(biāo)記,其Y方向的坐標(biāo)位于晶圓翹曲形變量小于等于250微米的區(qū)域內(nèi),其X方向的坐標(biāo)位于所述晶圓內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,所述粗對(duì)準(zhǔn)偏差模型包括X方向坐標(biāo)偏移、Y方向坐標(biāo)偏移、放大縮小比率以及旋轉(zhuǎn)角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,所述精對(duì)準(zhǔn)偏差模型包括X方向坐標(biāo)偏移、Y方向坐標(biāo)偏移、放大縮小比率以及旋轉(zhuǎn)角度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,在所述粗對(duì)準(zhǔn)步驟中,選擇兩組對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行坐標(biāo)測(cè)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的解決因晶圓翹曲形變導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,其特征在于,在所述精對(duì)準(zhǔn)步驟中,選擇至少6組對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行坐標(biāo)測(cè)量。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





