[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制作方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210023105.3
• 申請(qǐng)日: 2022-01-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116471831A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H10B12/00
• 分類號(hào): H10B12/00
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 張競(jìng)存;張穎玲

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中形成有有源區(qū)以及與所述有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在所述基底上形成接觸孔，所述接觸孔的底部暴露至少部分所述有源區(qū)和至少部分所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

于所述接觸孔中形成導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞的底部與所述有源區(qū)電性連接；

形成第一隔離結(jié)構(gòu)，所述第一隔離結(jié)構(gòu)填充所述接觸孔并與所述導(dǎo)電插塞直接接觸；

其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括第一疊層結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述于所述接觸孔中形成導(dǎo)電插塞的步驟中，還包括：

形成位線結(jié)構(gòu)，所述位線結(jié)構(gòu)位于所述導(dǎo)電插塞上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述形成第一隔離結(jié)構(gòu)的步驟，包括：

形成初始第一氧化物層，所述初始第一氧化物層覆蓋所述位線結(jié)構(gòu)的表面、所述導(dǎo)電插塞的側(cè)壁、所述接觸孔的內(nèi)壁以及所述基底的表面；

形成初始絕緣層，所述初始絕緣層覆蓋所述初始第一氧化物層的表面，并填充所述接觸孔；

去除部分所述初始絕緣層，保留的初始絕緣層構(gòu)成絕緣層，所述絕緣層和與所述絕緣層接觸的初始第一氧化物層構(gòu)成第一隔離結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在形成所述第一隔離結(jié)構(gòu)之后，還在所述位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成第二隔離結(jié)構(gòu)，所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括第二疊層結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所所述形成第二疊層結(jié)構(gòu)的步驟，包括：

形成初始第二氧化物層，所述初始第二氧化物層覆蓋部分暴露的所述初始第一氧物層和絕緣層的表面；

去除部分所述初始第二氧化物層和部分所述初始第一氧化物層，得到氧化物層，所述氧化物層包括位于所述位線結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一氧化物層和第二氧化物層，其中所述第二氧化物層的厚度大于所述第一氧化物層的厚度；

形成氮化物層，得到包括所述氧化物層和氮化物層的第二疊層結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在去除部分所述初始絕緣層之前，還包括：

進(jìn)行退火處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，去除部分所述初始絕緣層，包括：

利用熱磷酸刻蝕去除部分所述初始絕緣層，以形成所述絕緣層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述退火處理的持續(xù)時(shí)間為1h-2h，退火處理的溫度為400℃-550℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一疊層結(jié)構(gòu)包括絕緣層，所述絕緣層的頂部高于所述基底的頂部且小于所述導(dǎo)電插塞的頂部。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，以及位于基底中的有源區(qū)和與所述有源區(qū)鄰近的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

接觸孔，位于所述基底中且所述接觸孔的底部暴露至少部分所述有源區(qū)和至少部分所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

導(dǎo)電插塞，位于所述接觸孔中且所述導(dǎo)電插塞的底部與所述有源區(qū)電性連接；

第一隔離結(jié)構(gòu)，所述第一隔離結(jié)構(gòu)填充所述接觸孔并與所述導(dǎo)電插塞直接接觸；

其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括第一疊層結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

位線結(jié)構(gòu)，位于所述導(dǎo)電插塞上；

第二隔離結(jié)構(gòu)，所述第二隔離結(jié)構(gòu)位于所述位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；

且所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括第二疊層結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二疊層結(jié)構(gòu)包括氧化物層-氮化物層結(jié)構(gòu)。