[發(fā)明專利]磁阻效應元件、磁存儲器、磁化反轉(zhuǎn)方法及自旋流磁化反轉(zhuǎn)元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210022833.2 | 申請日: | 2016-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN114361329A | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 佐佐木智生 | 申請(專利權(quán))人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L43/06 | 分類號: | H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;陳明霞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁阻 效應 元件 磁存儲器 磁化 反轉(zhuǎn) 方法 自旋 | ||
1.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線由純自旋流生成部和低電阻部構(gòu)成,其中,純自旋流生成部由生成純自旋流的材料構(gòu)成;低電阻部由電阻小于該純自旋流生成部的材料構(gòu)成。
2.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
在所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線和所述第二鐵磁性金屬層之間具有覆蓋層,
將所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線和所述第二鐵磁性金屬層經(jīng)由所述覆蓋層而接合。
3.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
流通于所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線的電流密度低于1×107A/cm2。
4.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線包含磁性金屬。
5.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線含有拓撲絕緣體。
6.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線含有所述非磁性層的重金屬,所述重金屬的濃度為50%以下。
7.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線含有反鐵磁性金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的磁阻效應單元,其中,
所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線具有與所述第二鐵磁性金屬層的側(cè)壁接合的側(cè)壁接合部。
9.一種磁阻效應單元,其具備:
磁阻效應元件,其具有固定了磁化的方向的第一鐵磁性金屬層、磁化的方向可變的第二鐵磁性金屬層、以及被第一鐵磁性金屬層和第二鐵磁性金屬層夾持的非磁性層;以及
自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線,其沿相對于該磁阻效應元件的層疊方向交叉的方向延伸,并與所述第二鐵磁性金屬層接合,
所述自旋軌道轉(zhuǎn)矩配線具有與所述第二鐵磁性金屬層的側(cè)壁接合的側(cè)壁接合部。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TDK株式會社,未經(jīng)TDK株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210022833.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





