[發明專利]顯示模組、顯示模組制作方法及電子設備在審
| 申請號: | 202210022079.2 | 申請日: | 2022-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN114361234A | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發明(設計)人: | 孫丹丹;顏志敏;張振宇 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐維虎 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 模組 制作方法 電子設備 | ||
本申請實施例提供的顯示模組、顯示模組制作方法及電子設備,涉及顯示技術領域。在顯示模組中,在相鄰發光單元之間設置偏置電極及開關單元,偏置電極通過開關單元與提供偏置電壓信號的信號引線連接;開關單元可以在對應相鄰的發光單元中的任意一個發光單元被點亮時導通,使得偏置電極可以基于偏置電壓信號與第二電極所形成的電場抑制共通層中載流子在對應相鄰發光單元之間的橫向移動,相對于現有技術無需對共通層的組成材料或膜層結構進行改進,即可以避免共通層中載流子的橫向移動所引起的串擾不良,提高顯示模組的顯示性能。另外,開關單元只在對應相鄰的發光單元中的任意一個發光單元被點亮時導通,可以降低顯示模組的功耗。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體而言,涉及一種顯示模組、顯示模組制作方法及電子設備。
背景技術
在顯示模組顯示時,會出現像素串擾的情形,比如,在要求顯示模組顯示單色畫面(比如,綠色畫面)時,綠色子像素周邊的子像素(例如,紅色子像素)會輕微發光,導致串擾不良,影響顯示模組的顯示性能。
發明內容
為了克服上述技術背景中所提及的技術問題,本申請實施例提供一種顯示模組、顯示模組制作方法及電子設備。
本申請的第一方面,提供一種顯示模組,包括陣列基板以及設置在所述陣列基板上的多個發光單元,所述發光單元包括第一電極、第二電極以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的共通層和發光層,其中,所述多個發光單元共用同一所述共通層及所述第二電極;
所述顯示模組還包括設置在相鄰所述發光單元之間的偏置電極及開關單元,所述偏置電極設置在所述陣列基板上,所述偏置電極通過所述開關單元連接提供偏置電壓信號的信號引線;
所述開關單元在對應相鄰所述發光單元中的任意一個發光單元被點亮時導通,所述偏置電極通過所述偏置電壓信號與所述第二電極形成用于抑制所述共通層中的載流子在對應相鄰所述發光單元之間橫向移動的抑制電場。
在上述結構中,在相鄰發光單元之間設置偏置電極及開關單元,偏置電極通過開關單元與提供偏置電壓信號的信號引線連接;開關單元可以在對應相鄰的發光單元中的任意一個發光單元被點亮時導通,使得偏置電極可以基于偏置電壓信號與第二電極所形成的電場抑制共通層中載流子在對應相鄰發光單元之間的橫向移動,以避免共通層中載流子的橫向移動所引起的串擾不良,提高顯示模組的顯示性能。
在本申請的一種可能實施例中,位于所述偏置電極與所述共通層導通;
優選地,所述偏置電極與所述共通層接觸;
優選地,所述偏置電極位于不同顏色的相鄰所述發光單元之間。
在本申請的一種可能實施例中,所述陣列基板上設置有像素限定層,所述像素限定層在所述陣列基板上限定出用于容納所述發光單元中發光層的像素開口;
位于相鄰所述發光單元之間的像素限定層設置有缺口,位于相鄰所述發光單元之間的共通層經由所述缺口與所述偏置電極導通;
優選地,所述缺口的尺寸小于或等于所述像素開口的尺寸。
在本申請的一種可能實施例中,所述陣列基板包括像素驅動層及位于所述像素驅動層上的平坦化層;
所述偏置電極位于所述像素限定層與所述平坦化層之間,或位于所述像素限定層的缺口中;
所述開關單元與提供所述偏置電壓信號的信號引線位于所述陣列基板中,所述開關單元的一端與所述信號引線電連接;
所述開關單元的另一端通過平坦化層過孔與所述偏置電極電連接;
優選地,所述平坦化層包括依次層疊在所述像素驅動層上的第一平坦化層及第二平坦化層,所述開關單元位于所述第一平坦化層遠離所述像素驅動層的一側,所述開關單元通過所述第二平坦化層過孔與所述偏置電極連接;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





