[發明專利]一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片

在審

• 申請號: 202210021179.3
• 申請日: 2022-01-10
• 公開（公告）號: CN114389542A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 杜琳
• 申請（專利權）人: 西安博瑞集信電子科技有限公司
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 孟潔

1.一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片，其特征在于，包括本振巴倫、射頻巴倫、兩個本振阻抗匹配網絡、兩個射頻阻抗匹配網絡、肖特基二極管混頻核、中頻濾波網絡；所述本振巴倫通過兩個所述本振阻抗匹配網絡與所述肖特基二極管混頻核連接，所述射頻巴倫通過兩個所述射頻阻抗匹配網絡與所述肖特基二極管混頻核連接，所述射頻巴倫與中頻濾波網絡連接。

2.如權利要求1所述的一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片，其特征在于，所述本振巴倫包括電容C1，螺旋微帶線W1、W2、W3；

其中，螺旋微帶線W1一端與本振信號連接，另一端與電容C1連接，所述電容C1的另一端接地；

所述螺旋微帶線W2一端和電感L1連接，所述螺旋微帶線W3一端和電感L2連接，螺旋微帶線W2的另一端與螺旋微帶線W3的另一端相互連接并接地。

3.如權利要求1所述的一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片，其特征在于，所述射頻巴倫包括電容C2，螺旋微帶線W4、W5、W6；

其中，螺旋微帶線W6一端與射頻信號連接，另一端與電容C2連接，所述電容C2的另一端接地；

所述螺旋微帶線W4一端和電感L3連接，螺旋微帶線W5一端和電感L4連接，螺旋微帶線W4的另一端與螺旋微帶線W5的另一端相互連接后并與中頻濾波網絡連接。

4.如權利要求2和3所述的一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片，其特征在于，所述本振阻抗匹配網絡包括電感L1、L2，所述射頻阻抗匹配網絡包括電感L3、L4；其中，

所述電感L1一端和螺旋微帶線W2連接，另一端與肖特基二極管混頻核的二極管D1的負極和二極管D3的正極連接；

所述電感L2一端和螺旋微帶線W3連接，另一端與肖特基二極管混頻核的二極管D6的正極和二極管D8的負極連接；

所述電感L3和螺旋微帶線W4連接，另一端與肖特基二極管混頻核的二極管D4的負極和二極管D7的正極連接；

所述電感L4和螺旋微帶線W5連接，另一端與肖特基二極管混頻核的二極管D2的正極和二極管D5的負極連接。

5.如權利要求4所述的一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片，其特征在于，所述螺旋微帶線W1和W6均為2/λ線；螺旋微帶線W2、W3、W4、W5均為4/λ線。

6.如權利要求4所述的一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片，其特征在于，所述肖特基二極管混頻核包括二極管D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8；其中，

所述二極管D1的負極與電感L1的另一端和二極管D3的正極連接，所述二極管D1的正極與二極管D2的負極連接；

所述二極管D2的正極與二極管D5的負極和電感L4的另一端連接；

所述二極管D3的負極與二極管D4的正極連接；

所述二極管D4的負極與二極管D7的正極和電感L3的另一端連接；

所述二極管D5的正極與二極管D6的負極連接；

所述二極管D6的正極與二極管D8的負極和電感L2的另一端連；

所述二極管D7的負極與二極管D8的正極連接。

7.如權利要求6所述的一種具有高隔離度和高線性度的雙平衡混頻器芯片，其特征在于，所述中頻濾波網絡包括電容C3、C4、C5和電感L5；其中，

所述電容C3、C4、電感L5與螺旋微帶線W4和螺旋微帶線連接，所述電容C4的另一端與電感L5的另一端和電容C5連接至中頻信號，所述電容C3的另一端和電容C5的另一端均接地。