[發明專利]存儲器的制作方法、存儲器及存儲器系統

在審

• 申請號: 202210021158.1
• 申請日: 2022-01-10
• 公開（公告）號: CN114388527A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 吳林春
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11575
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 孟霞

1.一種存儲器的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成第一停止層；

在所述第一停止層中形成凹槽，所述凹槽貫穿所述第一停止層并延伸至所述襯底內；

在所述第一停止層上形成第二停止層，所述第二停止層覆蓋所述凹槽的內壁；

在所述第二停止層上形成堆棧層，所述堆棧層中形成有貫穿所述堆棧層且延伸至所述襯底內的存儲溝道結構；

在所述堆棧層中形成柵極縫隙，所述柵極縫隙貫穿所述堆棧層和所述凹槽內的所述第二停止層，并延伸至所述襯底內；

在所述堆棧層中形成柵極結構，并在所述柵極縫隙中形成柵極縫隙結構。

2.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成第一停止層之前，還包括：在所述襯底上形成第一間隔層，所述第一停止層位于所述第一間隔層上；

在所述襯底上形成第一停止層之后，還包括：在所述第一停止層上形成第二間隔層，其中，所述凹槽貫穿所述第一間隔層、所述第一停止層和所述第二間隔層，并延伸至所述襯底內。

3.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成第一停止層之后，還包括：對所述第一停止層進行摻雜處理。

4.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成第一停止層之后，還包括：

對所述第一停止層表面進行含氮物表面處理。

5.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，在所述第一停止層上形成第二停止層之后，還包括：

在所述第二停止層上形成第三間隔層，所述第二停止層和所述第三間隔層填滿所述凹槽；

去除所述凹槽之外的部分所述第三間隔層，或者去除所述凹槽之外的全部所述第三間隔層。

6.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述凹槽的側壁和底壁之間的夾角范圍為100°～120°。

7.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，在所述第一停止層上形成第二停止層之后，還包括：

對所述第二停止層表面進行含氮物表面處理。

8.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述第一停止層和所述第二停止層的材料均包括多晶硅。

9.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述第一停止層的氧化速率大于所述第二停止層的氧化速率。

10.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述凹槽的截面寬度大于位于所述凹槽中的所述柵極縫隙的截面寬度與位于所述凹槽中的所述第二停止層的截面寬度之和。

11.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，在所述第二停止層上形成堆棧層之后，所述制作方法還包括：

在所述堆棧層中形成存儲溝道孔，所述存儲溝道孔貫穿所述堆棧層并延伸至所述襯底內；

通過所述存儲溝道孔對所述第一停止層進行氧化處理，以形成縮頸溝道孔；

依次在所述縮頸溝道孔的內壁上形成存儲功能層和溝道層，以得到存儲溝道結構。