[發(fā)明專(zhuān)利]基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法、裝置及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210019991.2
• 申請(qǐng)日: 2022-01-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114325201A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁旭;王立平;郭麗麗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江鋮昌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 趙琴

1.一種基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，待測(cè)器件設(shè)置有去嵌結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述方法至少包括以下步驟：

S1，對(duì)探針尖端面的S參數(shù)進(jìn)行在片校準(zhǔn)，并測(cè)量得到多端口的S參數(shù)矩陣；

S2， 測(cè)量負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)件的直流電阻；

S3，獲取預(yù)設(shè)去嵌結(jié)構(gòu)的S參數(shù)；

S4，根據(jù)所述去嵌結(jié)構(gòu)的S參數(shù)和所述直流電阻得到待去嵌轉(zhuǎn)接引線(xiàn)及焊盤(pán)的兩端口S參數(shù)；所述去嵌結(jié)構(gòu)包括開(kāi)路、短路、負(fù)載與直通；

S5，將所述多端口的S參數(shù)矩陣進(jìn)行處理得到校準(zhǔn)的兩端口S參數(shù)；

S6，基于所述校準(zhǔn)的兩端口S參數(shù)和所述待去嵌轉(zhuǎn)接引線(xiàn)及焊盤(pán)的兩端口S參數(shù)得到待測(cè)器件的兩端口S參數(shù)，并對(duì)所有待測(cè)器件的兩端口S參數(shù)進(jìn)行處理得到待測(cè)器件的多端口S參數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，其特征在于，采用SOLR算法對(duì)探針尖端面的S參數(shù)進(jìn)行在片校準(zhǔn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，其特征在于，基于10項(xiàng)誤差模型的SOLR校準(zhǔn)算法對(duì)探針尖端面的S參數(shù)進(jìn)行在片校準(zhǔn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，其特征在于，按照設(shè)定的連接方式將多端口拆解成直通連接的兩端口，所述設(shè)定的連接方式包括“鏈?zhǔn)健边B接或“放射式”連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，其特征在于，使用高精度萬(wàn)用表或精密源表采用“四線(xiàn)法”測(cè)量負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)件的直流電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，其特征在于，所述多端口的端口數(shù)量大于等于3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，其特征在于，在采用LRRM算法的基礎(chǔ)上，增加對(duì)稱(chēng)互易條件和統(tǒng)計(jì)優(yōu)化算法，對(duì)去嵌結(jié)構(gòu)的S參數(shù)和直流電阻進(jìn)行處理得到待去嵌結(jié)構(gòu)的兩端口S參數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法，其特征在于，所述將所述多端口的S參數(shù)矩陣進(jìn)行處理得到校準(zhǔn)的兩端口S參數(shù)包括：

將所述多端口的S參數(shù)矩陣根據(jù)組合數(shù)分解得到的N(N-1)/2個(gè)兩端口S參數(shù)矩陣，并將每個(gè)兩端口S參數(shù)矩陣轉(zhuǎn)換為T(mén)參數(shù) ；

根據(jù)所述T參數(shù)得到左T參數(shù)和右T參數(shù)；

根據(jù)所述左T參數(shù)和右T參數(shù)計(jì)算每個(gè)兩端口的T參數(shù)矩陣；

將T參數(shù)矩陣轉(zhuǎn)換為校準(zhǔn)的兩端口S參數(shù)。

9.基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌裝置，其特征在于，包括校準(zhǔn)模塊、測(cè)試模塊、計(jì)算模塊和合成模塊；

所述校準(zhǔn)模塊配置為探針尖端面的S參數(shù)進(jìn)行在片校準(zhǔn)，并測(cè)量得到多端口的S參數(shù)矩陣；

所述測(cè)試模塊配置為測(cè)量負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)件的直流電阻和預(yù)設(shè)去嵌結(jié)構(gòu)的S參數(shù)，并根據(jù)所述去嵌結(jié)構(gòu)的S參數(shù)和所述直流電阻得到待去嵌轉(zhuǎn)接引線(xiàn)及焊盤(pán)的兩端口S參數(shù)；

所述計(jì)算模塊配置為將所述多端口的S參數(shù)矩陣進(jìn)行處理得到校準(zhǔn)的兩端口S參數(shù)；

所述合成模塊配置為基于所述校準(zhǔn)的兩端口S參數(shù)和所述待去嵌轉(zhuǎn)接引線(xiàn)及焊盤(pán)的兩端口S參數(shù)得到待測(cè)器件的兩端口S參數(shù)，并對(duì)所有待測(cè)器件的兩端口S參數(shù)進(jìn)行處理得到待測(cè)器件的多端口S參數(shù)。

10.一種電子設(shè)備，包括處理器、存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中并可在所述處理器上的運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器在執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-8所述的基于自校準(zhǔn)的多端口S參數(shù)去嵌方法的步驟。