[發明專利]用于監控微刻蝕風險的襯底結構及監控方法

有效

• 申請號: 202210019520.1
• 申請日: 2022-01-10
• 公開（公告）號: CN114093785B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 廖軍;張志敏
• 申請（專利權）人: 廣州粵芯半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544;G01N27/04
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 馮啟正

1.一種微刻蝕風險的監控方法，其特征在于，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括由下至上堆疊設置的第一材料層和第二材料層，所述第二材料層的電阻率高于所述第一材料層的電阻率；

刻蝕所述第二材料層至至少第一時間點，以在所述第二材料層中形成凹槽；其中，所述第一時間點為所述第二材料層中對應在凹槽內的部分被完全刻蝕去除時所對應的時間點；或者，所述第一時間點早于所述第二材料層中對應在凹槽內的部分被完全刻蝕去除時所對應的時間點；以及，

判斷在第一時間點之前是否有檢測到襯底結構的電阻發生突變，當在第一時間點之前檢測到了電阻發生突變，則判斷出所述凹槽的底角位置出現微溝槽且暴露出所述第一材料層。

2.如權利要求1所述的微刻蝕風險的監控方法，其特征在于，所述第二材料層為絕緣材料層，所述第一材料層為導電材料層。

3.如權利要求1所述的微刻蝕風險的監控方法，其特征在于，所述第二材料層中對應在凹槽內的部分在第二時間點被完全刻蝕去除，所述第一時間點早于所述第二時間點。

4.如權利要求3所述的微刻蝕風險的監控方法，其特征在于，在第一時間點之前未檢測到襯底結構的電阻發生突變，則繼續刻蝕所述第二材料層，直至檢測到電阻發生突變；

判斷電阻發生突變的時間節點是否早于所述第二時間點；若是，則推斷出當前刻蝕工藝存在微刻蝕風險。

5.如權利要求1所述的微刻蝕風險的監控方法，其特征在于，利用刻蝕設備刻蝕所述第二材料層，并根據第一時間點之前檢測到的襯底結構的電阻是否發生突變，推斷出所述刻蝕設備是否存在異常。

6.如權利要求5所述的微刻蝕風險的監控方法，其特征在于，在第一時間點之前未檢測到襯底結構的電阻發生突變，并且所述第二材料層中對應在凹槽內的部分未被完全刻蝕去除，則利用所述刻蝕設備繼續刻蝕所述第二材料層，直至檢測到電阻發生突變；

判斷電阻發生突變的時間節點是否早于第二時間點；若是，則判定所述刻蝕設備為風險設備；若否，則判定所述設備無異常；

其中，所述第二材料層中對應在凹槽內的部分在第二時間點被完全刻蝕去除，所述第一時間點早于所述第二時間點。

7.如權利要求1所述的微刻蝕風險的監控方法，其特征在于，所述凹槽的寬度尺寸大于等于25nm。