[發(fā)明專利]刷洗裝置、晶圓、三維存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210017789.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114361079A | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王光毅;鄔良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L27/11551;H01L27/11578;B08B1/02;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 譚玲玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 刷洗 裝置 晶圓 三維 存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)系統(tǒng) | ||
1.一種刷洗裝置,其特征在于,所述刷洗裝置用于刷洗晶圓(10),所述刷洗裝置包括:
晶圓驅(qū)動(dòng)部(20),所述晶圓驅(qū)動(dòng)部(20)與所述晶圓(10)驅(qū)動(dòng)連接以驅(qū)動(dòng)所述晶圓(10)轉(zhuǎn)動(dòng);
清洗刷組件(30),所述清洗刷組件(30)包括多組清洗刷,所述多組清洗刷沿預(yù)定方向間隔布置,各組所述清洗刷均包括分別位于所述晶圓(10)的相對(duì)兩側(cè)且繞自身軸線可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置的兩個(gè)清洗刷,以清洗所述晶圓(10)的相應(yīng)的表面;
其中,所述預(yù)定方向平行于所述晶圓(10)的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刷洗裝置,其特征在于,
各組所述清洗刷中的兩個(gè)所述清洗刷之間呈V型夾角設(shè)置,所述的V型夾角的開口端的寬度為0.3mm至0.6mm;和/或
所述清洗刷的長(zhǎng)度大于或等于所述晶圓(10)的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刷洗裝置,其特征在于,所述多組清洗刷包括第一組清洗刷(301)和第二組清洗刷(302),所述第一組清洗刷(301)位于所述第二組清洗刷(302)遠(yuǎn)離所述刷洗裝置的支撐基面的一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刷洗裝置,其特征在于,所述第一組清洗刷(301)中的各個(gè)所述清洗刷的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線在所述晶圓(10)的表面上的投影與所述晶圓(10)的表面的圓心之間的距離為L(zhǎng)1,所述第二組清洗刷(302)中的各個(gè)所述清洗刷的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線在所述晶圓(10)的表面上的投影與所述晶圓(10)的表面的圓心之間的距離為L(zhǎng)2;其中,
L1小于L2;和/或
L1的取值為0mm;和/或
L2的取值范圍為65mm至85mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刷洗裝置,其特征在于,各個(gè)所述清洗刷均包括刷桿(31),所述刷桿(31)為圓柱形桿體,所述刷桿(31)的外周面上設(shè)置有用于與所述晶圓(10)的表面接觸以對(duì)其進(jìn)行刷洗的多個(gè)刷洗部(32)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刷洗裝置,其特征在于,所述刷洗裝置包括供液裝置(40),以用于向所述晶圓(10)的表面噴射清洗液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刷洗裝置,其特征在于,
所述供液裝置(40)包括位于所述多組清洗刷的上方的第一供液部;和/或
所述供液裝置(40)包括穿設(shè)在所述清洗刷的刷桿(31)中的第二供液部,所述刷桿(31)上設(shè)置有用于供清洗液流出的噴射孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的刷洗裝置,其特征在于,
所述供液裝置(40)包括供液管路(41)和設(shè)置在所述供液管路(41)上的噴頭(42),所述供液管路(41)用于向所述噴頭(42)供應(yīng)清洗液,所述噴頭(42)用于向所述晶圓(10)的表面噴射清洗液。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刷洗裝置,其特征在于,所述晶圓驅(qū)動(dòng)部(20)包括多個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)輪(21),多個(gè)所述驅(qū)動(dòng)輪(21)環(huán)繞所述晶圓(10)的周向間隔布置,且各個(gè)所述驅(qū)動(dòng)輪(21)均與所述晶圓(10)的外表面接觸,以通過多個(gè)所述驅(qū)動(dòng)輪(21)的轉(zhuǎn)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)所述晶圓(10)轉(zhuǎn)動(dòng)。
10.一種晶圓,其特征在于,所述晶圓采用權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的刷洗裝置來進(jìn)行加工。
11.一種三維存儲(chǔ)器,其特征在于,包括由權(quán)利要求10所述的晶圓制作而成的半導(dǎo)體器件。
12.一種存儲(chǔ)系統(tǒng),其特征在于,包括存儲(chǔ)控制器和權(quán)利要求11所述的三維存儲(chǔ)器,所述三維存儲(chǔ)器被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù),所述存儲(chǔ)控制器耦合到所述三維存儲(chǔ)器并被配置為控制所述三維存儲(chǔ)器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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