[發(fā)明專利]一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210016976.2
• 申請(qǐng)日: 2022-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114481067B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何向軍;張少杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沈陽(yáng)富創(chuàng)精密設(shè)備股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/14;C23C14/58
• 代理公司: 沈陽(yáng)優(yōu)普達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 孫奇

1.一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1）真空室環(huán)境要求，首先使真空室的真空度達(dá)到10^-2Pa~10^-4Pa, 然后在真空室內(nèi)通入惰性氣體，使其真空度達(dá)到10Pa~10^-1Pa；

步驟2）真空室內(nèi)安裝電極，電極連接脈沖電源，在真空室內(nèi)形成低溫輝光放電等離子體，同時(shí)待鍍工件連接直流偏壓電源，工件加直流負(fù)偏壓，待鍍工件在等離子體中進(jìn)行原位濺射清洗；

步驟3）開(kāi)啟磁控濺射電源，濺射高純鋁靶，濺射出的鍍料原子或離子在惰性氣體等離子體中被激發(fā)、加速，以較高動(dòng)能沉積在待鍍工件表面，同時(shí)待鍍工件加負(fù)偏壓，待鍍工件表面和膜層在沉積過(guò)程中受到鋁離子轟擊改性；

在磁控濺射鋁靶的同時(shí)，另外采用惰性氣體離子對(duì)待鍍工件表面進(jìn)行轟擊改性，形成超厚、超純鋁膜，鋁膜厚度是大于50μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法，其特征在于，步驟3）中鍍料采用磁控濺射或離子槍轟擊高純鋁靶得到鋁原子或鋁離子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法，其特征在于，所述超厚、超純鋁膜的純度大于99%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法，其特征在于，步驟2）真空室內(nèi)或采用單獨(dú)的離子槍，同時(shí)待鍍工件不加負(fù)偏壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法，其特征在于，待鍍工件表面和膜層在沉積過(guò)程中，在磁控濺射鋁靶的同時(shí)，或采用單獨(dú)離子槍對(duì)待鍍工件表面膜層進(jìn)行轟擊改性，形成超厚、超純鋁膜。