[發明專利]一種高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料及其制備方法

在審

• 申請號: 202210014717.6
• 申請日: 2022-01-07
• 公開（公告）號: CN114334347A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 李旺昌;陳家林;肖世鵬;車聲雷;余靚;應耀;鄭精武;喬梁
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: H01F10/13
• 分類號: H01F10/13;H01F41/22;H01F41/14;H01F1/24;H01F1/153
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 萬尾甜;韓介梅

1.一種高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，所述材料以非晶粉末為原料，經預處理后，再通過流延工藝制備生坯，然后通過將生坯疊層并熱壓制備而成；所述材料在1MHz～200MHz頻率下損耗角低于0.08。

2.根據權利要求1所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，其制備方法包括：

(1)將非晶軟磁粉末在350～660℃保護氣氛中退火0.5～4小時；

(2)將步驟(1)得到的粉體進行研磨，或者之后再對所得粉體進行絕緣包覆處理；

(3)將步驟(2)處理后的非晶粉加入樹脂、偶聯劑及助劑，再通過球磨或者砂磨形式攪拌均勻形成均一漿料；

(4)將步驟(3)處理后的漿料進行流延成膜，然后對流延膜進行干燥，制得非晶軟磁膜生坯，然后將制得的非晶軟磁膜生坯多層疊層，用平板熱壓機對其進行熱壓得到高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料。

3.根據權利要求2所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，所述非晶軟磁粉末的粒徑為0.1～10微米，優選2～7微米，或者所述非晶軟磁粉末是將粒徑2～7微米的非晶粉與粒徑100-800納米的亞微米非晶粉按照質量比為100:10～100:0混合，其中0表示不含亞微米非晶粉；所述非晶軟磁粉末的成分以Fe為主，還包括Si、B、P、Cr、C元素中的兩種或兩種以上，其中Fe含量不低于90wt％。

4.根據權利要求2所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，絕緣包覆層為磷化層包覆、NaSiO₃包覆、SiO₂包覆和硅烷包覆的一種或者多種復合包覆。

5.根據權利要求2所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，所述的偶聯劑是鈦酸酯偶聯劑或硅烷偶聯劑。

6.根據權利要求2所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，步驟(1)所述的保護氣氛是氬氣、氦氣、氫氣、氮氣或其中一種或多種混合氣，退火溫度優選350～550℃。

7.根據權利要求2所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，所述助劑為增稠劑、流平劑及固化劑，所述樹脂為環氧樹脂，所述固化劑為潛伏型固化劑。

8.根據權利要求2所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，所述熱壓溫度為80～200℃，壓強為10～1000MPa。

9.根據權利要求1-8任一項所述的高頻低損耗非晶軟磁復合膜材料，其特征在于，所述材料應用于MHz及以上的高頻軟磁器件中。