[發明專利]改善熱載流子注入的NMOS的形成方法

有效

• 申請號: 202210012683.7
• 申請日: 2022-01-07
• 公開（公告）號: CN114038758B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 高沛雄;江豐順;張森;王永;吳哲佳
• 申請（專利權）人: 廣州粵芯半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/266
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 馮啟正

1.一種改善熱載流子注入的NMOS的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底內形成P型阱區；

在所述P型阱區上形成柵極以及位于所述柵極兩側的側墻；

以所述側墻為掩膜，向所述柵極的兩側的P型阱區內進行N型離子注入，以分別形成源區和漏區；

以所述側墻為掩膜，分別向所述源區和漏區下方的P型阱區進行N型離子注入，以形成LDD區；以及

以所述側墻為掩膜，向所述源區和LDD區之間的P型阱區以及在所述漏區和LDD區之間的P型阱區進行P型離子注入，以形成P型離子區；

形成所述LDD區的離子的注入劑量和注入角度均小于形成所述源區和漏區的離子的注入劑量和注入角度；形成所述P型離子區的離子的注入劑量和注入角度均小于形成所述源區和漏區的離子的注入劑量和注入角度；形成所述P型離子區的離子的注入劑量和注入角度均大于形成所述LDD區的離子的注入劑量和注入角度；所述注入角度是與襯底的表面的夾角。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成P型阱區的方法包括：向所述襯底內注入P型離子，注入的劑量為1e16cm^-3~1e18cm^-3。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述柵極之前，還包括：在所述P型阱區上形成柵氧化層。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成柵極之后，還包括：在柵極的兩側形成ONO層。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述柵極的兩側的P型阱區進行一道或兩道N型離子注入，以分別形成源區和漏區。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述LDD區延升至所述柵極的下方。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述源區和所述漏區延升至所述側墻的下方。