[發明專利]一種碳化硅外延生長裝置有效
| 申請號： | 202210011142.2 | 申請日： | 2022-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN114059164B | 公開（公告）日： | 2022-11-04 |
| 發明（設計）人： | 蒲勇;趙鵬;盧勇;施建新 | 申請（專利權）人： | 芯三代半導體科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/14 |
| 代理公司： | 蘇州智品專利代理事務所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐學青 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 外延 生長 裝置 | ||
1.一種碳化硅外延生長裝置，其特征在于，包括：
反應模塊，所述反應模塊內配置有供外延生長的反應腔；
噴淋部組件，所述噴淋部組件配置于所述反應模塊上，所述噴淋部組件包括：
多個獨立的腔體，多個所述腔體分別經管道連接至用以提供氣體的氣源以及分別經出氣通道連通反應腔，且所述出氣通道包括依次連接的導氣管段、勻壓管段及擴散管段，所述導氣管段的過流面積大于所述勻壓管段的過流面積，
至少一個所述腔體內有沿本體徑向配置的間隔板，所述間隔板將所述腔體隔成上下2層，其中，上層為進氣腔，下層為出氣腔，且進氣腔的體積大于匹配的出氣腔的體積，所述出氣腔連通出氣通道，所述間隔板上配置有穿孔，所述穿孔連通匹配的進氣腔及出氣腔；及
托盤組件，所述托盤組件配置于所述反應腔的底部，且與所述噴淋部組件相對，所述托盤組件的頂部用以放置襯底；
反應模塊運行時氣體流入匹配的腔體，并在腔體內混合后從匹配的出氣通道流出并流至所述反應腔內，所述導氣管段的直徑與所述勻壓管段的直徑之比介于1.1-2.5，所述擴散管段的直徑與所述勻壓管段的直徑之比介于1.1-1.5。
2.如權利要求1所述的碳化硅外延生長裝置，其特征在于，所述噴淋部組件包括：固定部及噴淋部，
所述固定部安裝于所述反應模塊的端部，所述固定部配置成中央區域鏤空，所述噴淋部可拆卸的安裝于所述中央區域。
3.如權利要求1所述的碳化硅外延生長裝置，其特征在于，所述噴淋部包括：本體、端板及隔板，
所述本體具有基部及配置于所述基部一側邊緣的側壁；
所述端板配置于所述側壁的端部；
所述隔板的兩側端分別連接所述基部及所述端板，
所述基部、側壁、隔板及端板組合圍成多個所述腔體。
4.如權利要求3所述的碳化硅外延生長裝置，其特征在于，
所述隔板為3個，3個所述隔板間隔配置且沿所述本體軸向延伸，
所述基部、側壁、隔板及端板組合圍成相互獨立的第一腔體、第二腔體、第三腔體及第四腔體，
其中，所述第一腔體呈圓柱狀，第二腔體、第三腔體及第四腔體沿第一腔體的徑向依次排布。
5.如權利要求4所述的碳化硅外延生長裝置，其特征在于，所述端板上設有復數出氣通道，所述第一腔體、第二腔體、第三腔體或第四腔體經所述出氣通道分別連通所述反應腔。
6.如權利要求1所述的碳化硅外延生長裝置，其特征在于，所述間隔板與基部間的距離h1與所述間隔板與端板的距離h2的比值介于2～10。
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