[發(fā)明專利]一種多孔SiC@PANI核/殼納米線準(zhǔn)陣列的制備方法及其在超級(jí)電容器中應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210007647.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-01-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114464470A | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高鳳梅;李維俊;王瑞瑩;李侃;楊為佑 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 寧波工程學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01G11/86 | 分類號(hào)： | H01G11/86;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多孔 sic pani 納米 陣列 制備 方法 及其 超級(jí) 電容器 應(yīng)用 | ||
1.一種多孔SiC@PANI核/殼納米線準(zhǔn)陣列的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：將聚硅氮烷和三聚氰胺的粉末混合后置于覆蓋有碳基材的坩堝中，通過化學(xué)氣相沉積法在碳基材上負(fù)載SiC納米線；然后將負(fù)載有SiC納米線的碳基材作為陽極，將鉑片電極作為陰極，苯胺酸性溶液作為電解液，通過脈沖電沉積獲得多孔SiC@PANI核/殼納米線準(zhǔn)陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述脈沖電沉積過程設(shè)置脈沖電源交流模式，占空比為45-55％，電壓為0-1.5V，頻率為45-55Hz，時(shí)間為40-75min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述聚硅氮烷、三聚氰胺的質(zhì)量比為(2-4):1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積法包括在高溫?zé)Y(jié)爐中加熱沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述加熱沉積包括在氬氣氛圍下進(jìn)行分段加熱，經(jīng)過45-50min從室溫升至第一階段溫度，然后經(jīng)過9-13min升至第二階段溫度，再經(jīng)過8-12min降至第三階段溫度；其中
第一階段溫度為1380-1420℃，第二階段溫度為1510-1590℃，第三階段溫度為1270-1310℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第二階段溫度為1540-1560℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述苯胺酸性溶液中包括苯胺單體和酸性溶劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述苯胺酸性溶液中苯胺單體的濃度為0.005-0.02mol/L，酸性溶劑的濃度為0.4-0.7mol/L。
9.一種多孔SiC@PANI核/殼納米線準(zhǔn)陣列，其特征在于，所述多孔SiC@PANI核/殼納米線準(zhǔn)陣列由權(quán)利要求1～8任一所述的制備方法制得。
10.一種多孔SiC@PANI核/殼納米線準(zhǔn)陣列在超級(jí)電容器中應(yīng)用。
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