[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法和陣列基板

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202210006580.X
• 申請日: 2022-01-05
• 公開（公告）號: CN114388626A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 史文
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 王朝云

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

第一基板；

設(shè)置在所述第一基板上的第一金屬層；

設(shè)置在所述第一基板及所述第一金屬層上的柵絕緣層；

設(shè)置在所述柵絕緣層上且與所述第一金屬層的位置對應(yīng)的半導(dǎo)體層；

設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的金屬氟化物層；

其中，所述金屬氟化物層在對應(yīng)所述第一金屬層的區(qū)域具有第一溝道，所述第一溝道將所述金屬氟化物層分割為第一金屬氟化物層和第二金屬氟化物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括第二金屬層，設(shè)置在所述金屬氟化物層背離所述半導(dǎo)體層的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二金屬層包括源電極和漏電極，在所述源電極與所述漏電極之間形成第二溝道；

所述第二溝道與所述第一溝道相通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括絕緣保護層，設(shè)置在所述柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層、所述金屬氟化物層及所述第二金屬層上的絕緣保護層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣保護層的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一種；和/或

所述金屬氟化物層的厚度為20～200nm；和/或

所述金屬氟化物層的材料包括氟化鋰、氟化鎂、氟化鋅中的至少一種。

7.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在第一基板上依次形成第一金屬層及柵絕緣層；

在所述柵絕緣層相對所述第一金屬層的位置形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層上形成金屬氟化物層，所述金屬氟化物層中形成有一第一溝道，將所述金屬氟化物層分割為第一金屬氟化物層和第二金屬氟化物層，并使對應(yīng)所述第一溝道的所述半導(dǎo)體層暴露。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述金屬氟化物層形成之后，還包括：在所述金屬氟化物層上形成第二金屬層；其中，所述第二金屬層被一第二溝道分割形成源電極和漏電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述源電極和所述漏電極分別形成在所述第一金屬氟化物層和所述第二金屬氟化物層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述第二金屬層形成之后，還包括：在暴露的所述柵絕緣層以及所述半導(dǎo)體層、所述源電極、所述漏電極、所述金屬氟化物層的表面形成絕緣保護層。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵絕緣層的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一種；和/或

所述絕緣保護層的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一種；和/或

所述金屬氟化物層的厚度為20～200nm；和/或

所述金屬氟化物層的材料包括氟化鋰、氟化鎂、氟化鋅中的至少一種。

12.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～6中任一項所述的薄膜晶體管或如權(quán)利要求7～11中任一項所述的制作方法制得的薄膜晶體管。