[發(fā)明專利]一種用于X頻段隱身的超薄透光超材料吸波體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210005903.3 | 申請日： | 2022-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN114465016A | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李姝穎;劉亮亮;姜玉瑩;李茁;顧長青 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00;H01Q15/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237 | 代理人： | 劉輝 |
| 地址： | 210016 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 頻段 隱身 超薄 透光 材料 吸波體 | ||
1.一種用于X頻段隱身的超薄透光超材料吸波體，其特征在于，包含若干個在二維空間呈周期性陣列分布的超材料吸波體結(jié)構(gòu)單元；
所述超材料吸波體結(jié)構(gòu)單元包含由上至下的透明圖案層、透明介質(zhì)層、透明反射層；
所述透明介質(zhì)介質(zhì)層采用正方形玻璃基板；
所述透明圖案層為刻蝕在所述透明介質(zhì)層上表面的第一透明導(dǎo)電薄膜，透明反射層為設(shè)置在所述透明介質(zhì)層下表面的第二透明導(dǎo)電薄膜；
所述第一透明導(dǎo)電薄膜包含第一至第三方環(huán)薄膜，所述第一方環(huán)設(shè)置在第二方環(huán)內(nèi) ，第二方環(huán)設(shè)置在第三方環(huán)內(nèi)，第一方環(huán)和第二方環(huán)之間的間距等于第二方環(huán)和第三方環(huán)之間的間距，且第一至第三方環(huán)在其四邊的中點處沿垂直于其邊長的方向均設(shè)有開口；
所述第二透明導(dǎo)電薄膜為大小和所述透明反射層相同的正方形透明導(dǎo)電薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X頻段隱身的超薄透光超材料吸波體，其特征在于，所述超材料吸波體結(jié)構(gòu)單元之間的距離是0.55mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X頻段隱身的超薄透光超材料吸波體，其特征在于，所述透明介質(zhì)層中的玻璃介質(zhì)基板的介電常數(shù)為7.7，損耗角正切為0.008，厚度1.8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X頻段隱身的超薄透光超材料吸波體，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電薄膜、第二透明導(dǎo)電薄膜采用氧化銦錫、摻雜氟的二氧化錫、鋁摻雜的氧化鋅、聚合物基透明導(dǎo)體中的任意一種透明導(dǎo)電薄膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X頻段隱身的超薄透光超材料吸波體，其特征在于，所述透明介質(zhì)層的邊長為11.55mm，所述第三方環(huán)四條邊上的開口寬度3.3mm，第二方環(huán)四條邊上的開口寬度2.2mm，第一方環(huán)四條邊上的開口寬度1mm,第三方環(huán)的外邊長為11mm，第二方環(huán)的外邊長為8mm，第一方環(huán)的外邊長3mm, 第一至第三方環(huán)的環(huán)寬分別為1mm、2mm和0.5mm，第一方環(huán)和第二方環(huán)之間的間隔0.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X頻段隱身的超薄透光超材料吸波體，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電薄膜的膜厚為135nm，第二透明導(dǎo)電薄膜的膜厚為185nm，第一、第二透明導(dǎo)電薄膜方阻的取值范圍為6-300Ω/sq。
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