[發明專利]用以偵測漏電流的二極管測試模塊及其測試方法

在審

• 申請號: 202210002630.7
• 申請日: 2022-01-04
• 公開（公告）號: CN114527363A
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 葉致廷;黃菘志;林昆賢;莊哲豪
• 申請（專利權）人: 晶焱科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/52;H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種測試方法，適于用以偵測一漏電流的一二極管測試模塊，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有一第一導電型的一基板，以及形成于該基板上的一磊晶層，該磊晶層具有一第二導電型；

提供具有該第一導電型的一井型區，該井型區形成于該磊晶層中，并在該井型區中形成具有該第二導電型的一第一重摻雜區與具有該第二導電型的一第二重摻雜區，該第一重摻雜區與該第二重摻雜區分別電性耦接于一第一輸入輸出端與一第二輸入輸出端；

在該第一重摻雜區與該第二重摻雜區之間形成有至少一隔離溝槽，以提供電性隔離，其中，該至少一隔離溝槽的深度大于該磊晶層的深度；

提供一偵測單元，當該第一輸入輸出端或該第二輸入輸出端被給定偏壓時，該偵測單元設置于該第一輸入輸出端與該第二輸入輸出端之間的一電流導通路徑上，其中，該偵測單元包括具有該第二導電型的一第三重摻雜區與具有該第二導電型的一第四重摻雜區，該至少一隔離溝槽形成于該第三重摻雜區與該第四重摻雜區之間，以提供電性隔離，并且，該第三重摻雜區與該第四重摻雜區連接有金屬走線；以及

當一操作電壓輸入于該第一輸入輸出端或是該第二輸入輸出端時，該偵測單元檢測是否有該漏電流的產生，從而確認該第一重摻雜區或該第二重摻雜區是否確實地形成于該井型區中。

2.如權利要求1所述的測試方法，其特征在于，該第三重摻雜區與該第四重摻雜區形成于該磊晶層中，并且，該第三重摻雜區與該第四重摻雜區之間通過一連接金屬線連接，使該第三重摻雜區與該第四重摻雜區形成短路。

3.如權利要求2所述的測試方法，其特征在于，該二極管測試模塊還包括具有該第一導電型的一第五重摻雜區與具有該第一導電型的一第六重摻雜區，其中，該第五重摻雜區形成于該磊晶層中，并且鄰近設置于該第一重摻雜區，該第六重摻雜區形成于該磊晶層中，并且鄰近設置于該第二重摻雜區。

4.如權利要求3所述的測試方法，其特征在于，當該第一導電型為P型，該第二導電型為N型時，該第五重摻雜區與該第六重摻雜區電性耦接于一接地總線線路。

5.如權利要求3所述的測試方法，其特征在于，當該第一導電型為N型，該第二導電型為P型時，該第五重摻雜區與該第六重摻雜區電性耦接于一高電壓位準總線線路。

6.如權利要求2所述的測試方法，其特征在于，該二極管測試模塊還包括具有該第一導電型的一第五重摻雜區與具有該第一導電型的一第六重摻雜區，其中，該第五重摻雜區形成于該井型區中，并且鄰近設置于該第一重摻雜區，該第六重摻雜區形成于該井型區中，并且鄰近設置于該第二重摻雜區。

7.如權利要求6所述的測試方法，其特征在于，當該第一導電型為P型，該第二導電型為N型時，該第五重摻雜區與該第六重摻雜區電性耦接于一接地總線線路。

8.如權利要求6所述的測試方法，其特征在于，當該第一導電型為N型，該第二導電型為P型時，該第五重摻雜區與該第六重摻雜區電性耦接于一高電壓位準總線線路。

9.如權利要求1所述的測試方法，其特征在于，該二極管測試模塊還包括具有該第一導電型的一第二井型區，該第二井型區形成于該磊晶層中，使得該第三重摻雜區與該第四重摻雜區形成于該第二井型區中，其中，該第三重摻雜區鄰近設置于該第一重摻雜區，該第三重摻雜區電性耦接于該第二輸入輸出端，并且，該第四重摻雜區鄰近設置于該第二重摻雜區，該第四重摻雜區電性耦接于該第一輸入輸出端。

10.如權利要求9所述的測試方法，其特征在于，該二極管測試模塊還包括具有該第一導電型的一第五重摻雜區與具有該第一導電型的一第六重摻雜區，其中，該第五重摻雜區形成于該磊晶層中，并且鄰近設置于該第一重摻雜區，該第六重摻雜區形成于該磊晶層中，并且鄰近設置于該第二重摻雜區。