[發明專利]恒定GM電流源

在審

• 申請號: 202180083652.4
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN116601580A
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 吳信達
• 申請（專利權）人: 北歐半導體公司
• 主分類號: G05F3/24
• 分類號: G05F3/24
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

1.一種恒定g_m電流源，其被布置為生成用于皮爾斯振蕩器的供電電流，所述恒定g_m電流源包括：

第一晶體管和第二晶體管，其被布置為使得：所述第一晶體管的源極端子連接到第一供電軌，所述第二晶體管的源極端子連接到第二供電軌，以及所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極端子彼此連接并連接到所述第一晶體管的柵極端子；

第三晶體管和第四晶體管，其被布置為使得：所述第三晶體管的源極端子連接到所述第一供電軌，所述第四晶體管的源極端子連接到所述第二供電軌，以及所述第三晶體管和所述第四晶體管的漏極端子彼此連接并連接到所述第四晶體管的柵極端子；

輸出部分，其被布置為響應于所述第三晶體管和所述第四晶體管的漏極端子處的電壓而改變供電電流，

其中，所述第一晶體管和所述第三晶體管的柵極端子彼此連接并且每一個被供應柵極電壓，以及其中，所述第二晶體管和所述第四晶體管的柵極端子彼此連接；

所述恒定g_m電流源還包括：

參考電阻元件，其連接在所述第三晶體管的源極端子和所述第一供電軌之間，其中，所述參考電阻元件的電阻被設置為預定值；以及

自動校準晶體管，其具有被連接到所述第一供電軌的其源極端子以及被連接到所述第一晶體管的源極端子的其漏極端子，其中，所述自動校準晶體管的柵極端子被供應所述柵極電壓。

2.如權利要求1所述的恒定g_m電流源，其中，所述自動校準晶體管包括PMOS晶體管，所述第一晶體管和所述第三晶體管包括PMOS晶體管，以及所述第二晶體管和所述第四晶體管包括NMOS晶體管。

3.如權利要求2所述的恒定g_m電流源，其中，所述第一供電軌包括正電壓供電軌，以及所述第二供電軌包括地或負電壓供電軌。

4.如權利要求1所述的恒定g_m電流源，其中，所述自動校準晶體管包括NMOS晶體管，所述第一晶體管和所述第三晶體管包括NMOS晶體管，以及所述第二晶體管和所述第四晶體管包括PMOS晶體管。

5.如權利要求3所述的恒定g_m電流源，其中，所述第二供電軌包括正電壓供電軌，以及所述第一供電軌包括地或負電壓供電軌。

6.如前述權利要求中任一項所述的恒定g_m電流源，其中，所述輸出部分包括輸出晶體管，所述輸出晶體管具有被連接到所述第三晶體管和所述第四個晶體管的漏極端子的其柵極端子，其中，所述輸出晶體管的柵極端子處的電壓改變通過所述輸出晶體管的漏極-源極電流，其中，所述供電電流是所述漏極-源極電流或者來源于所述漏極-源極電流。

7.如權利要求5所述的恒定g_m電流源，其中，所述輸出晶體管的源極端子連接到所述第二供電軌。

8.如權利要求5或權利要求6所述的恒定g_m電流源，其中，所述輸出晶體管包括PMOS晶體管，可選地，其中，所述輸出晶體管的漏極-源極電流被直接供應給所述皮爾斯振蕩器的逆變器。

9.如權利要求5或權利要求6所述的恒定g_m電流源，包括電流鏡，所述電流鏡包括第一電流鏡晶體管和第二電流鏡晶體管，所述第一電流鏡晶體管和所述第二電流鏡晶體管被布置為使得：

所述第一電流鏡晶體管和所述第二電流鏡晶體管的源極端子被連接到所述第一供電軌；

所述第一電流鏡晶體管和所述第二電流鏡晶體管的柵極端子彼此連接，連接到所述第一電流鏡晶體管的漏極端子，以及連接到所述輸出晶體管的漏極端子；以及

第二電流鏡晶體管的漏極端子連接到逆變器或者被布置為連接到逆變器。

10.如前述權利要求中任一項所述的恒定g_m電流源，其中，所述參考電阻元件包括可變電阻。