[發明專利]經過表面改性的金屬摻雜多孔二氧化硅在審
| 申請號： | 202180083230.7 | 申請日： | 2021-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN116547239A | 公開（公告）日： | 2023-08-04 |
| 發明（設計）人： | 大橋和彰;木村真梨子;生田目大輔 | 申請（專利權）人： | 東洋制罐集團控股株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/18 | 分類號： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;張岑堯 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 經過 表面 改性 金屬 摻雜 多孔 二氧化硅 | ||
1.一種金屬摻雜多孔二氧化硅，其特征在于：
經過含有乙烯基吡咯烷酮單元的聚合物表面改性而形成。
2.如權利要求1所述的金屬摻雜多孔二氧化硅，其特征在于：
摻雜到多孔二氧化硅中的金屬為選自銅、鋁、鋯、鈷、錳、鐵的至少一種。
3.如權利要求2所述的金屬摻雜多孔二氧化硅，其特征在于：
摻雜到多孔二氧化硅中的金屬為銅和/或鋁。
4.如權利要求1所述的金屬摻雜多孔二氧化硅，其特征在于：
含有乙烯基吡咯烷酮單元的聚合物為乙烯基吡咯烷酮單元與乙烯基吡咯烷酮以外的單元的共聚物。
5.如權利要求4所述的金屬摻雜多孔二氧化硅，其特征在于：
乙烯基吡咯烷酮單元與乙烯基吡咯烷酮以外的單元的共聚物是乙烯基吡咯烷酮與甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯的共聚物。
6.如權利要求1所述的金屬摻雜多孔二氧化硅，其特征在于：
含有乙烯基吡咯烷酮單元的聚合物為聚乙烯基吡咯烷酮。
7.一種金屬摻雜多孔二氧化硅的制造方法，所述金屬摻雜多孔二氧化硅經過含有乙烯基吡咯烷酮單元的聚合物表面改性而形成，所述制造方法的特征在于：
包括將摻雜有金屬的多孔二氧化硅懸浮在分散介質中形成的漿料與含有乙烯基吡咯烷酮單元的聚合物和球磨機所用磨球介質一起放入處理容器中，按需還可以進一步放入分散介質，將放入了這些物料的處理容器裝配到球磨機臺架進行旋轉，由此對金屬摻雜多孔二氧化硅進行表面處理的工序。
8.一種漿料，其特征在于：
通過將經過含有乙烯基吡咯烷酮單元的聚合物表面改性形成的金屬摻雜多孔二氧化硅懸浮在分散介質中而得到。
9.一種金屬摻雜多孔二氧化硅在對于物品進行除臭中的使用，其特征在于：
通過將權利要求1所述的經過含有乙烯基吡咯烷酮單元的聚合物表面改性形成的金屬摻雜多孔二氧化硅，配合到含有選自聚季銨鹽-10、聚季銨鹽-11、氨端聚二甲基硅氧烷、聚乙烯基吡咯烷酮的至少一種的物品中，對物品進行除臭。
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