[發明專利]相變存儲器單元在審
| 申請號： | 202180081316.6 | 申請日： | 2021-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN116635937A | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發明（設計）人： | 玉仁祚;鮑如強;A·H·西蒙;K·布里;N·索爾尼爾;I·R·薩拉夫;M·桑卡拉潘迪恩;S·麥合塔 | 申請（專利權）人： | 國際商業機器公司 |
| 主分類號： | G11C11/56 | 分類號： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 邊海梅 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 存儲器 單元 | ||
1.一種半導體結構，包括：
被電介質層包圍的加熱器；
在所述加熱器的頂部部分上的投射襯墊，所述投射襯墊覆蓋所述加熱器的頂表面；
位于所述投射襯墊上方的相變材料層，所述投射襯墊將所述相變材料層與所述電介質層和所述加熱器分隔開；以及
圍繞所述相變材料層的頂部部分的頂部電極觸點，所述頂部電極觸點通過金屬襯墊與所述相變材料層分隔開。
2.根據權利要求1所述的結構，進一步包括：
在所述加熱器下方并與所述加熱器電接觸的底部電極；以及
在所述相變材料層上方并且與所述相變材料層電接觸的頂部電極。
3.根據權利要求2所述的結構，進一步包括：
在所述頂部電極上方并與所述頂部電極直接接觸的掩模層；以及
在所述底部電極下方并與所述底部電極電接觸的底部電極觸點。
4.根據前述權利要求中任一項所述的結構，其中所述相變材料層包括結晶相和無定形相，其中所述無定形相在所述加熱器的正上方。
5.根據權利要求4所述的結構，其中所述投射襯墊在所述相變材料層的所述結晶相和所述無定形相中提供平行傳導路徑。
6.根據前述權利要求中任一項所述的結構，其中所述頂部電極觸點是環繞環形類型的頂部電極觸點。
7.根據權利要求1所述的結構，其中所述頂部電極觸點沿著所述相變材料層的側壁豎直延伸。
8.一種半導體結構，包括：
由電介質層分隔開的兩個或更多個相變存儲器單元，所述兩個或更多個相變存儲器單元中的每個包括相變材料層和加熱器；以及
在所述兩個或更多個相變存儲器單元的頂部部分上的兩個或更多個頂部電極觸點，所述兩個或更多個頂部電極觸點通過金屬襯墊與所述相變存儲器單元分隔開，所述兩個或更多個頂部電極觸點沿著所述相變材料層的側壁部分豎直延伸。
9.根據權利要求8所述的結構，其中所述相變材料層包括結晶相和無定形相，其中所述無定形相在所述加熱器的正上方。
10.根據權利要求8所述的結構，其中所述兩個或更多個相變存儲器單元中的每個包括：
被第二電介質層包圍的所述加熱器；
在所述加熱器的頂部部分上的投射襯墊，所述投射襯墊覆蓋所述加熱器的頂表面；
位于所述投射襯墊上方的相變材料層，所述投射襯墊將所述相變材料層與所述第二電介質層及所述加熱器分隔開；
在所述加熱器下方并與所述加熱器電接觸的底部電極；以及
在所述相變材料層上方并且與所述相變材料層電接觸的頂部電極。
11.根據權利要求9所述的結構，進一步包括：
在所述頂部電極上方并與所述頂部電極直接接觸的掩模層；以及
在所述底部電極下方并與所述底部電極電接觸的底部電極觸點。
12.根據權利要求10所述的結構，進一步包括：
在所述底部電極觸點下方并與所述底部電極觸點電接觸的第一金屬層；
在所述頂部電極觸點上方并與所述頂部電極觸點電接觸的第二金屬層；以及
位于所述第一金屬層與所述第二金屬層之間并且與所述第一金屬層和所述第二金屬層電接觸的過孔觸點。
13.根據權利要求10所述的結構，其中所述投射襯墊在所述相變材料層的所述結晶相和所述無定形相中提供平行傳導路徑。
14.根據權利要求9至13中任一項所述的結構，其中所述兩個或更多個頂部電極觸點是環繞環形類型的頂部電極觸點。
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