[發(fā)明專利]高壓脈沖發(fā)生器單元

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202180081185.1
• 申請日: 2021-12-14
• 公開（公告）號: CN116669570A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佩爾·里路加;漢申里克·卡倫博恩
• 申請（專利權(quán)）人: 博奧普緹賽普特科技公司
• 主分類號: A23L3/32
• 分類號: A23L3/32
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 張少波;楊明釗

1.高壓脈沖發(fā)生器單元包括初級側(cè)、變壓器和次級側(cè)，其中所述初級側(cè)包括繞組，并且其中所述次級側(cè)包括多個繞組和多個脈沖模塊單元(PMU)，并且其中每個PMU包括所述繞組和開關(guān)元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中所述初級側(cè)包括一個單繞組。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中所述次級側(cè)包括多個脈沖模塊單元(PMU)，其中一個或多個PMU包括所述繞組、整流橋、電容器和開關(guān)元件。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中一個或多個PMU還包括二極管，所述二極管優(yōu)選地并聯(lián)耦合在所述開關(guān)元件上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中所述開關(guān)元件是晶體管類型的，例如IGBT或FET。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中接地被布置為連接到所述開關(guān)元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中所述開關(guān)元件包括具有短路保護的驅(qū)動電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中在每個PMU中提供的AC電壓峰到峰值在1.6V-8,000V、優(yōu)選地600V-4,000V、更優(yōu)選地1,000V-3,000V的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中每個PMU包括一個開關(guān)元件，并且其中接地被布置在所有開關(guān)元件的中間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中PMU的數(shù)量在2-1,024的范圍內(nèi)，優(yōu)選地在2-64的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在4-16的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中所述初級側(cè)包括H橋單元，優(yōu)選地移相全橋(PSFB)單元，其被布置在所述初級側(cè)的所述一個單初級繞組之前。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中在所述初級側(cè)上提供的電壓在600V-1,500V的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中功率因數(shù)校正(PFC)單元被布置為連接到所述H橋單元。

14.根據(jù)權(quán)利要求11-13中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中所述次級側(cè)連接到高壓單元，優(yōu)選地PEF(脈沖電場)室。

15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的高壓脈沖發(fā)生器單元，其中所述高壓脈沖發(fā)生器單元被布置為提供雙極脈沖。