[發(fā)明專利]聚合物、組合物、聚合物的制造方法、組合物、膜形成用組合物、抗蝕劑組合物、輻射敏感組合物、光刻用下層膜形成用組合物、抗蝕圖案形成方法、光刻用下層膜的制造方法、電路圖案形成方法、及光學構件形成用組合物

在審

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• 申請日: 2021-07-15
• 公開（公告）號: CN116194502A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設計）人: 堀內淳矢;松浦耕大;岡田悠;大松禎;牧野島高史;越后雅敏
• 申請（專利權）人: 三菱瓦斯化學株式會社
• 主分類號: C08G8/20
• 分類號: C08G8/20
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種聚合物，其具有源自選自由式(1A)及(1B)所示的芳香族羥基化合物組成的組中的至少1種單體的重復單元，

所述重復單元彼此通過芳香環(huán)彼此的直接鍵合來連接，

式(1A)及(1B)中，R各自獨立地為任選具有取代基的碳數(shù)1～40的烷基、任選具有取代基的碳數(shù)6～40的芳基、任選具有取代基的碳數(shù)2～40的烯基、碳數(shù)2～40的炔基、任選具有取代基的碳數(shù)1～40的烷氧基、鹵素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、雜環(huán)基、羧基或羥基，至少一個R為包含羥基的基團，m各自獨立地為1～10的整數(shù)。

2.根據(jù)權利要求1所述的聚合物，其中，所述式(1A)及(1B)所示的芳香族羥基化合物分別為式(2A)及(2B)所示的芳香族羥基化合物，

式(2A)及(2B)中，m¹為0～10的整數(shù)，m²為0～10的整數(shù)，至少一個m¹或m²為1以上的整數(shù)。

3.根據(jù)權利要求1所述的聚合物，其中，所述式(1A)及(1B)所示的芳香族羥基化合物分別為式(3A)及(3B)所示的芳香族羥基化合物，

式(3A)及(3B)中，m^1’為1～10的整數(shù)。

4.一種聚合物，其具有下述式(1A)所示的重復單元，

式(1A)中，

A為任選具有取代基的碳數(shù)6～40的芳基，

R¹各自獨立地為氫原子、任選具有取代基的碳數(shù)1～40的烷基、或任選具有取代基的碳數(shù)6～40的芳基，

R²各自獨立地為任選具有取代基的碳數(shù)1～40的烷基、任選具有取代基的碳數(shù)6～40的芳基、任選具有取代基的碳數(shù)2～40的烯基、碳數(shù)2～40的炔基、任選具有取代基的碳數(shù)1～40的烷氧基、鹵素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、雜環(huán)基、羧基、或羥基，

m各自獨立地為0～4的整數(shù)，

n各自獨立地為1～3的整數(shù)，

p為2～10的整數(shù)，

符號*表示與鄰接的重復單元的鍵合部位。

5.根據(jù)權利要求4所述的聚合物，其中，所述式(1A)所示的重復單元為式(1-1-1)所示的重復單元和/或式(1-1-2)所示的重復單元，

式(1-1-1)中，R¹、R²、m、n、p、及符號*與所述式(1A)含義相同，

式(1-1-2)中，R¹、R²、m、n、p、及符號*與所述式(1A)含義相同。

6.根據(jù)權利要求4所述的聚合物，其中，所述式(1A)所示的重復單元為選自式(1-2-1)所示的重復單元～式(1-2-4)所示的重復單元中的至少1種，

式(1-2-1)中，R¹、R²、m、p、及符號*與所述式(1A)含義相同，

式(1-2-2)中，R¹、R²、m、p、及符號*與所述式(1A)含義相同，

式(1-2-3)中，R¹、R²、m、p、及符號*與所述式(1A)含義相同，

式(1-2-4)中，R¹、R²、m、p、及符號*與所述式(1A)含義相同。

7.根據(jù)權利要求4～6中任一項所述的聚合物，其中，所述R¹為任選具有取代基的碳數(shù)為6～40的芳基。