[發明專利]導電性二維粒子及其制造方法在審
| 申請號： | 202180052265.4 | 申請日： | 2021-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN115989555A | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發明（設計）人： | 小柳雅史;柳町章麿;坂本宙樹;清水肇 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01G11/30 | 分類號： | H01G11/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 韓聰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電性 二維 粒子 及其 制造 方法 | ||
1.一種導電性二維粒子，是包含1個層，或包含1個層和多個層的層狀材料的導電性二維粒子，其中，
所述層包括：
由下式：MmXn表示的層主體，
式中，M是至少一種的第3、4、5、6、7族金屬，
X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的組合，
n為1以上且4以下，
m為大于n并在5以下；
存在于該層主體的表面的修飾或末端T，
T是從羥基、氟原子、氯原子、氧原子和氫原子所構成的群中選擇的至少一種，
所述導電性二維粒子含有單價的金屬離子，不含胺，氯與溴的合計含有率為1500質量ppm以下，
所述導電性二維粒子的二維面的長徑的平均值為1.0μm以上且20μm以下。
2.根據權利要求1所述的導電性二維粒子，其中，厚度的平均值為1nm以上且10nm以下。
3.根據權利要求1或2所述的導電性二維粒子，其中，所述單價的金屬離子為鋰離子。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的導電性二維粒子，其中，含有希爾德布蘭德溶解參數為19.0MPa1/2以上且47.8MPa1/2以下的有機化合物。
5.一種導電性二維粒子的制造方法，其中，包括：
(a)準備由下式：MmAXn表示的前驅體，
式中，M是至少一種的第3、4、5、6、7族金屬，
X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的組合，
A是至少一種的第12、13、14、15、16族元素，
n為1以上且4以下，
m為大于n并在5以下；
(b1)使用包含含有單價金屬離子的金屬化合物的蝕刻液，從所述前驅體蝕刻A原子，并且進行單價的金屬離子的插層處理；和
(d)使用希爾德布蘭德溶解參數為19.0MPa1/2以上且47.8MPa1/2以下的有機化合物，進行該有機化合物的插層處理。
6.一種導電性二維粒子的制造方法，其中，包括：
(a)準備由下式：MmAXn表示的前驅體，
式中，M是至少一種的第3、4、5、6、7族金屬，
X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的組合，
A是至少一種的第12、13、14、15、16族元素，
n為1以上且4以下，
m為大于n并在5以下；
(b2)使用蝕刻液，從所述前驅體蝕刻A原子；
(c)使用含有單價的金屬離子的金屬化合物，進行單價的金屬離子的插層處理；和
(d)使用希爾德布蘭德溶解參數為19.0MPa1/2以上且47.8MPa1/2以下的有機化合物，進行該有機化合物的插層處理。
7.根據權利要求5或6所述的導電性二維粒子的制造方法，其中，所述含有單價的金屬離子的金屬化合物是含Li化合物。
8.根據權利要求5～7中任一項所述的導電性二維粒子的制造方法，其中，在所述有機化合物的插層處理之后，進行分層處理。
9.一種導電性薄膜，其包含權利要求1～4中任一項所述的導電性二維粒子，電導率為2000S/cm以上。
10.一種導電膏，其含有權利要求1～4中任一項所述的導電性二維粒子。
11.一種導電性復合材料，其含有權利要求1～4中任一項所述的導電性二維粒子和樹脂。
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