[發(fā)明專利]信息處理方法以及信息處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180047096.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115803849A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 米道仁史 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 宋魏魏 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信息處理 方法 以及 裝置 | ||
本發(fā)明涉及信息處理方法以及信息處理裝置。信息處理方法獲取在對(duì)基板的周期處理中測(cè)定出的時(shí)間序列數(shù)據(jù)組。信息處理方法針對(duì)獲取到的時(shí)間序列數(shù)據(jù)組所包含的每個(gè)時(shí)間序列數(shù)據(jù),計(jì)算周期處理的各周期的統(tǒng)計(jì)值。信息處理方法生成基于計(jì)算出的統(tǒng)計(jì)值的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。信息處理方法將生成的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)或者時(shí)間序列數(shù)據(jù)分割為規(guī)定的區(qū)間。信息處理方法基于分割后的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)或者時(shí)間序列數(shù)據(jù),針對(duì)每個(gè)區(qū)間計(jì)算代表值。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及信息處理方法以及信息處理裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中,存在切換多個(gè)處理氣體,對(duì)基板反復(fù)層疊幾乎為單分子層的薄的單位膜的原子層沉積法(ALD:Atomic Layer Deposition)。另外,存在對(duì)在基板上成膜的膜反復(fù)進(jìn)行幾乎為單分子層的薄的單位膜的蝕刻的ALE(Atomic LayerEtching:原子層蝕刻)。在ALD以及ALE中,通過(guò)對(duì)一張基板反復(fù)執(zhí)行同樣的處理來(lái)進(jìn)行規(guī)定的工藝處理。
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2012-209593號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)提供能夠提高在反復(fù)處理時(shí)測(cè)定出的時(shí)間序列數(shù)據(jù)組的特征量提取的精度的信息處理方法以及信息處理裝置。
根據(jù)本公開(kāi)的一方式的信息處理方法獲取在對(duì)基板的周期處理中測(cè)定出的時(shí)間序列數(shù)據(jù)組。信息處理方法針對(duì)獲取到的時(shí)間序列數(shù)據(jù)組所包含的每個(gè)時(shí)間序列數(shù)據(jù),計(jì)算周期處理的各周期的統(tǒng)計(jì)值。信息處理方法生成基于計(jì)算出的統(tǒng)計(jì)值的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。信息處理方法將生成的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)或者時(shí)間序列數(shù)據(jù)分割為規(guī)定的區(qū)間。信息處理方法基于分割后的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)或者時(shí)間序列數(shù)據(jù),針對(duì)每個(gè)區(qū)間計(jì)算代表值。
根據(jù)本公開(kāi),能夠提高在反復(fù)處理時(shí)測(cè)定出的時(shí)間序列數(shù)據(jù)組的特征量提取的精度。
附圖說(shuō)明
圖1是表示本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式中的信息處理系統(tǒng)的一個(gè)例子的框圖。
圖2是表示本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式中的信息處理裝置的硬件結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。
圖3是表示本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式中的信息處理裝置的功能結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的功能框圖。
圖4是表示時(shí)間序列數(shù)據(jù)的一個(gè)例子的圖。
圖5是表示放大時(shí)間序列數(shù)據(jù)的一部分的一個(gè)例子的圖。
圖6是表示來(lái)自時(shí)間序列數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)值的計(jì)算的一個(gè)例子的圖。
圖7是表示通過(guò)貝葉斯優(yōu)化設(shè)定的區(qū)間的一個(gè)例子的圖。
圖8是表示區(qū)間的代表值和測(cè)量數(shù)據(jù)的關(guān)系的一個(gè)例子的圖。
圖9是表示根據(jù)時(shí)間序列數(shù)據(jù)求出統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)的區(qū)間的代表值的情況下的一個(gè)例子的圖。
圖10是表示工藝的異常檢測(cè)中的與以往的比較的一個(gè)例子的圖。
圖11是表示本實(shí)施方式中的特征量提取處理的一個(gè)例子的流程圖。
圖12是表示本實(shí)施方式中的預(yù)測(cè)處理的一個(gè)例子的流程圖。
具體實(shí)施方式
以下,基于附圖,詳細(xì)對(duì)公開(kāi)的信息處理方法以及信息處理裝置的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外,并不是通過(guò)以下的實(shí)施方式限定公開(kāi)技術(shù)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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