[發明專利]用于施加涂層的方法和裝置、以及經涂覆的物體

在審

• 申請號: 202180043064.8
• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN115867687A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 韋爾納·克爾克;斯特凡·博爾茨
• 申請（專利權）人: 塞梅孔公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;孫雅雯

1.一種用于向物體(60)施加層(64)的方法，包括

-將所述物體(60)設置在真空室(12)中，

-向所述真空室(12)中供應工藝氣體，

-通過施加具有陰極脈沖(50)的陰極電壓(V_P)來操作至少一個陰極(30)并使靶(32)濺射，從而在所述真空室(12)中產生等離子體，

-在涂覆持續時間(D)期間向所述物體(60)施加偏壓(V_B)，使得所述等離子體的電荷載流子向所述物體(60)的方向加速并附著于所述物體(60)的表面，

-其中所述偏壓(V_B)的時間進程在所述涂覆持續時間(D)期間變化。

2.根據權利要求1所述的方法，其中

-所述偏壓(V_B)的所述時間進程包括至少在所述涂覆持續時間(D)的一部分期間的偏壓脈沖(52)，其中所述偏壓脈沖(52)與所述陰極脈沖(50)同步，

-以及所述偏壓(V_B)的所述時間進程在所述涂覆持續時間(D)期間的變化至少包括

a)所述偏壓(V_B)從具有偏壓脈沖(52)的脈沖偏壓(V_B)到DC電壓或者從DC電壓到具有偏壓脈沖(52)的脈沖偏壓(V_B)的變化，

和/或

b)所述偏壓脈沖(52)相對于所述陰極脈沖(50)的持續時間和/或同步的變化。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中

-所述工藝氣體在所述層(64)中的比例取決于所述偏壓(V_B)的所述時間進程，

-以及其中，通過所述時間進程在所述涂覆持續時間(D)期間的變化，工藝氣體在所述層(64)中的比例變化。

4.根據權利要求1至3中的一項所述的方法，其中

-所述偏壓(V_B)的所述時間進程包括至少在第一時間區間期間的偏壓脈沖(52)，

-以及其中所述偏壓(V_B)至少在另一時間區間期間為DC電壓。

5.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其中

-所述偏壓(V_B)的所述時間進程包括至少在第一時間區間(170a、270a、370a)期間的偏壓脈沖(52)，

-其中所述偏壓脈沖(52)與所述陰極脈沖(50)同步，

-以及其中所述偏壓脈沖(52)相對于所述陰極脈沖(50)延遲滯后時間(T_D)發生。

6.根據權利要求5所述的方法，其中

-在所述第一時間區間(170a、270a、370a)期間，所述偏壓脈沖(52)相對于所述陰極脈沖(50)延遲第一滯后時間(T_D)發生，

-以及所述偏壓(V_B)的所述時間進程包括至少在第二時間區間(170b、270b、370b)期間的與所述陰極脈沖(50)同步以及相對于所述陰極脈沖(50)延遲第二滯后時間(T_D)發生的偏壓脈沖(52)，

-其中所述第一滯后時間(T_D)與所述第二滯后時間(T_D)不同。

7.根據權利要求6所述的方法，其中

-所述第一時間區間(170a、270a、370a)和/或所述第二時間區間(170b、270b、370b)的持續時間被選擇為使得在此期間，所述層生長0.1μm至3μm。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其中

-在所述涂覆持續時間(D)內，所述第一時間區間(170a、270a、370a)在所述第二時間區間(170b、270b、370b)之前，

-以及所述滯后時間(T_D)在所述第一時間區間(170a、270a、370a)中比在所述第二時間區間(170b、270b、370b)中短。