[發明專利]貼合晶圓用支撐基板

在審

• 申請號: 202180039914.7
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN115668449A
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: 澀谷正太;稗田大輔;石崎寬章
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉茜璐;呂傳奇

1. 一種貼合晶圓用支撐基板，其為用于將活性層用基板與支撐基板隔著絕緣膜貼合而成的貼合晶圓的支撐基板，具備：

支撐基板主體；及

多晶硅層，堆積在所述支撐基板主體的貼合面側，

所述多晶硅層的晶粒尺寸為0.419μm以下。

2.根據權利要求1所述的貼合晶圓用支撐基板，其中，

在經研磨的所述多晶硅層的10μm×10μm的面積區域中測定的均方根粗糙度Rq為0.364nm以下。

3.根據權利要求1或2所述的貼合晶圓用支撐基板，其中，

所述多晶硅層被研磨，表示從所述支撐基板的中心基準面到所述支撐基板的中點上的中心面的位移量的BOW-bf為+16μm以下。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的貼合晶圓用支撐基板，其中，

所述多晶硅層由如下多晶硅層組成：

第1多晶硅層，堆積在所述支撐基板主體的貼合面側；及

第2多晶硅層，堆積在所述第1多晶硅層上，

所述晶粒尺寸為所述第2多晶硅層的晶粒尺寸。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的貼合晶圓用支撐基板，其中，

所述支撐基板主體是單晶硅晶圓。