[發明專利]介電表面的濕式官能化在審
| 申請號: | 202180037052.4 | 申請日: | 2021-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN115769362A | 公開(公告)日: | 2023-03-07 |
| 發明(設計)人: | 李·J·布羅根;馬修·馬丁·休伊;劉藝華;喬納森·大衛·里德 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/285;H01L21/288;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 樊英如;張靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 官能 | ||
1.一種在襯底上形成互連件結構或所述互連件結構的一部分的方法,所述方法包括:
a.在濕式處理室中接收所述襯底,所述襯底包括介電材料,所述介電材料具有形成在所述介電材料中的凹陷特征,其中所述互連件結構待形成于所述凹陷特征中,其中第一材料在暴露于所述凹陷特征內;
b.使所述襯底與官能化浴接觸以在所述第一材料的表面上形成經改性的第一材料,其中所述官能化浴包含第一溶劑和官能化反應物,
i.其中所述經改性的第一材料包括被所述官能化反應物改性的所述第一材料,以及
ii.其中所述官能化反應物包含(1)結合官能團,其將所述官能化反應物粘結到至所述第一材料;以及(2)活性官能團,其促進第二材料在所述經改性的第一材料上的沉積,其中所述結合官能團和所述活性官能團可以是相同的或不同的;以及
c.在所述經改性的第一材料上沉積所述第二材料,
i.其中所述第二材料通過無電鍍覆、電鍍、化學氣相沉積或原子層沉積來沉積,以及
ii.其中下列條件中的一者被滿足:
1.所述第一材料為所述介電材料,而所述第二材料為阻擋層或阻擋層前體,
2.所述第一材料為所述阻擋層,而所述第二材料為襯墊,
3.所述第一材料為所述阻擋層,而所述第二材料為形成所述互連件結構的互連件的導電金屬,
4.所述第一材料為所述阻擋層,而所述第二材料為晶種層,
5.所述第一材料為所述襯墊,而所述第二材料為所述晶種層,或者
6.所述第一材料為所述襯墊,而所述第二材料為形成所述互連件結構的所述互連件的導電金屬。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述活性官能團包括還原性基團,所述還原性基團包括從下列項組成的群組中選擇的材料:硼氫化物、硼烷、醛、酸、次磷酸鹽、肼、二元醇、還原性金屬離子、這些材料的任一者的經取代的形式以及它們的組合。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述活性官能團包括催化性官能團。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述催化性官能團包括金屬的納米顆粒或金屬氧化物的納米顆粒中的至少一者。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述活性官能團包括去絡合官能團。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述去絡合官能團包括從下列項組成的群組中選擇的材料:氫氧化物、醇、酯、醚、羧酸及其組合。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述活性官能團包括粘附性官能基。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所述粘附性官能基包括從下列項組成的群組中選擇的材料:氫氧化物、醇、羧酸、金屬氧化物以及它們的組合。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述結合官能團包括物理吸附官能團。
10.根據權利要求9所述的方法,其中所述物理吸附官能團包括從下列項組成的群組中選擇的材料:膦酸鹽、羧酸鹽、胺、炔、烯、兒茶酚、兒茶酚衍生物、以及它們的組合。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述結合官能團包括化學吸附官能團。
12.根據權利要求11所述的方法,其中所述化學吸附官能團包括從下列項組成的群組中選擇的材料:氫氧化物、硅烷、酯、硅氮烷、甲硅烷基-乙酰胺、甲硅烷基-咪唑、以及它們的組合。
13.根據權利要求1所述的方法,其中所述官能化浴還包括pH調整物質,所述pH調整物質包括堿或酸。
14.根據權利要求13所述的方法,其中所述pH調整物質的所述堿或酸包括從下列項組成的群組中選擇的材料:三乙基胺、四甲基氫氧化銨、氫氧化銨、硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸、以及它們的組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





