[發明專利]刺激響應聚合物膜的受控降解

在審

• 申請號: 202180035073.2
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN115552573A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 史蒂芬·M·施瑞德;格雷戈里·布拉楚特;戴安·海姆斯
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02;C08L61/02
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種方法，其包括：

向室提供高深寬比(HAR)結構，所述HAR結構具有位于高深寬比間隙中的刺激響應聚合物(SRP)，所述高深寬比間隙形成于所述HAR結構的特征之間，所述高深寬比間隙具有總厚度T_總；以及

執行將所述SRP從所述間隙移除的一個或更多循環，每個循環包括：

(a)將第一反應物脈沖式輸送至所述室，使得所述第一反應物擴散至所述間隙中僅到達小于T_總的深度；

(b)在(a)后，清掃所述室；

(c)在(b)后，將第二反應物脈沖式輸送至所述室，使得所述第二反應物擴散至所述間隙中僅到達小于T_總的深度；

(d)使所述第一反應物與所述第二反應物進行反應以形成使所述SRP降解的化合物；

(e)將厚度小于T_總的SRP降解；以及

(f)移除經降解的所述SRP。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述SRP包括聚(苯二甲醛)或其衍生物作為同元聚合物或共聚合物中的聚合物中的一種。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述SRP包括聚醛或其衍生物作為同元聚合物或共聚合物中的聚合物中的一種。

4.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中所述第一反應物或所述第二反應物為水蒸氣。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一反應物或所述第二反應物中的另一者為氣體氧化物，所述氣體氧化物與所述水蒸氣進行反應以成為酸性或堿性物質。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述氣體氧化物為二氧化氮。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述氣體氧化物為二氧化硫。

8.根據權利要求5所述的方法，其中所述氣體氧化物為二氧化碳。

9.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一反應物或所述第二反應物中的另一者為氨。

10.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中在(a)和(c)中的目標擴散深度是相同的。

11.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其中在(a)和(c)中的目標擴散深度是不同的。

12.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中(d)中的所述反應是未經催化的。

13.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述化合物為酸或堿。

14.一種方法，其包括：

向室提供高深寬比(HAR)結構，所述HAR結構具有位于高深寬比間隙中的刺激響應聚合物(SRP)，所述高深寬比間隙形成于所述HAR結構的特征之間，所述高深寬比間隙具有總厚度T_總；以及

執行將所述SRP從所述間隙移除的一個或更多循環，每個循環包括：

(a)將第一反應物脈沖式輸送至所述室，使得所述第一反應物擴散至所述間隙中到達深度D_{第一反應物}；

(b)在(a)后，清掃所述室；

(c)在(b)后，將第二反應物脈沖式輸送至所述室，使得所述第二反應物擴散至所述間隙中僅到達深度D_{第二反應物}，其中，D_{第二反應物}小于D_{第一反應物}；

(d)使所述第一反應物與所述第二反應物進行反應以形成使所述SRP降解的化合物；

(e)將所述SRP降解至深度D_{第二反應物}；以及

(f)移除經降解的所述SRP。