[發(fā)明專利]粘合膜轉(zhuǎn)移涂層及其在制造光發(fā)射裝置中的應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202180035023.4
• 申請(qǐng)日: 2021-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN115668520A
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·多納;G·巴信;D·B·羅特曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 亮銳有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L33/50
• 分類號(hào): H01L33/50;H01L33/00;H01L25/075
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 景軍平;劉春元

1.一種發(fā)光裝置，包括：

多個(gè)可單獨(dú)尋址的發(fā)光二極管，所述多個(gè)可單獨(dú)尋址的發(fā)光二極管安裝在單個(gè)芯片上；

多個(gè)磷光體瓦片；以及

位于磷光體瓦片和可單獨(dú)尋址的發(fā)光二極管中的每一個(gè)之間的接合層，其中所述接合層具有均勻的厚度，跨所述單個(gè)芯片，所述厚度在每個(gè)單獨(dú)可尋址的發(fā)光二極管和磷光體瓦片之間的變化小于20%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接合層的厚度在0.3μm和2μm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述多個(gè)LED管芯安裝在瓦片上，所述多個(gè)LED管芯的一部分具有來(lái)自所述瓦片的高度，所述高度與所述多個(gè)LED管芯的另一部分不同，所述接合層在所述多個(gè)LED管芯上保持均勻厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，與所述接合層接觸的所述多個(gè)磷光體瓦片的表面具有表面粗糙度，并且所述接合層順應(yīng)所述表面粗糙度，同時(shí)保持所述均勻厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，與所述接合層接觸的所述多個(gè)發(fā)光二極管的表面具有表面粗糙度，并且所述接合層順應(yīng)所述表面粗糙度，同時(shí)保持所述均勻厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接合層包括多個(gè)通道。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)通道在所述接合層的邊緣上具有開口。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接合層包括與所述多個(gè)磷光體瓦片接觸的第一接合層和與所述多個(gè)發(fā)光二極管和所述第一接合層接觸的第二接合層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述第一接合層具有與所述第二接合層不同的物理特性。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述第一接合層包括多個(gè)通道。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述第一接合層具有與所述第二接合層不同的折射率。

12.一種形成發(fā)光裝置的方法，包括：

在磷光體上將轉(zhuǎn)換層接合裝置對(duì)齊，所述轉(zhuǎn)換層接合裝置包括粘合到剝離襯墊的粘合層；

在升高的溫度下使所述粘合層和所述磷光體接觸，所述升高的溫度是所述粘合層粘合到所述磷光體的溫度；

冷卻已粘合到所述磷光體的所述粘合層；

從所述粘合層移除所述剝離襯墊；

使一個(gè)或多個(gè)LED管芯與與所述磷光體相對(duì)的所述粘合層接觸；以及

加熱所述粘合層、LED管芯和磷光體，以固化所述粘合層并且在所述LED管芯和所述磷光體之間形成接合層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在低于所述升高的溫度的第一溫度下，所述粘合層是固體且是非粘合的。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述第一溫度下所述粘合層的G*（在lHz處）大于100KPa，并且在所述升高的溫度下所述粘合層的G*（在lHz處）在1KPa和100KPa之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中使所述粘合層和所述磷光體在升高的溫度下接觸包括：向所述轉(zhuǎn)換層接合裝置和所述磷光體施加真空。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括切割在所述LED管芯之間的所述磷光體和所述接合層。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括：在移除所述剝離襯墊之后，將所述磷光體和粘合層切割成n×m陣列，并且其中使一個(gè)或多個(gè)LED管芯與與所述磷光體相對(duì)的所述粘合層接觸包括：使每個(gè)LED管芯與n×m陣列接觸。