[發(fā)明專利]制備碘硅烷的方法及由其所得的組合物在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180034469.5 | 申請日: | 2021-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN115605432A | 公開(公告)日: | 2023-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·A·拉內(nèi)曼;T·M·卡梅龍;D·凱珀;D·M·埃默特;T·H·鮑姆;J·W·迪布 | 申請(專利權(quán))人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號: | C01B33/107 | 分類號: | C01B33/107 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 李婷 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 硅烷 方法 所得 組合 | ||
本發(fā)明提供可用于通過鹵離子交換反應(yīng)將氯?及溴?硅烷轉(zhuǎn)化為高度希望的碘硅烷(例如H2SiI2及HSiI3)的絡(luò)合物。介導(dǎo)此反應(yīng)的物質(zhì)是包含鋁的碘化物反應(yīng)物。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于化學(xué)領(lǐng)域。本發(fā)明涉及使用鋁介導(dǎo)的鹵離子交換工藝從相應(yīng)的氯-或溴硅烷制備某些碘硅烷的方法。
背景技術(shù)
鹵硅烷適合作為前體用于制造微電子裝置。具體來說,鹵硅烷(例如H2SiI2及HSiI3)適合作為前體化合物用于沉積用于制造微電子裝置的含硅膜。當(dāng)前以溶液為主的合成方法描述從i)芳基硅烷(凱南等人,有機(jī)化學(xué)雜志,第52卷,第22期,1987,第4846到4851頁;克里根等人,第10,106,425號美國專利)或ii)鹵硅烷例如SiH2Cl2(第10,384,944號美國專利)合成H2SiI2及其它選定碘硅烷。
凱南等人描述一種針對SiH2I2形成的合成方法,所述方法采用用碘在催化劑(例如乙酸乙酯)的存在下化學(xué)計量處理苯基-SiH3(一種芳基硅烷)。反應(yīng)副產(chǎn)物是由芳基硅烷產(chǎn)生的芳族官能(以苯的形式釋放),及由乙酸乙酯分解產(chǎn)生的復(fù)雜副產(chǎn)物混合物。從所需SiH2I2繁瑣分離反應(yīng)副產(chǎn)物使所述工藝復(fù)雜化。另外,用于制備鹵硅烷的以芳基硅烷為主的方法通常產(chǎn)生受碘及/或碘化氫(它們對所需碘硅烷產(chǎn)物有害)污染的產(chǎn)物,因此通常使用銻、銀或銅以穩(wěn)定碘硅烷產(chǎn)物。
第10,106,425號美國專利教示芳基硅烷(CH3C6H4)SiH3作為反應(yīng)物的用途。如本文公開的工藝產(chǎn)生副產(chǎn)物甲苯并因此認(rèn)為其是從苯基-SiH3產(chǎn)生苯的凱南方法的危險性較低的替代方法。
第10,384,944號美國專利描述(例如)LiI與SiH2Cl2之間的鹵離子交換,從而在芬克爾斯坦(Finkelstein)樣反應(yīng)中產(chǎn)生LiCl及SiH2I2。
發(fā)明內(nèi)容
總的來說,本發(fā)明提供某些適用于氯-及溴硅烷通過鹵離子交換反應(yīng)轉(zhuǎn)化為高度期望的碘硅烷(例如H2SiI2及HSiI3)的絡(luò)合物。介導(dǎo)這個反應(yīng)的物質(zhì)是包含鋁的碘化物反應(yīng)物。在某些實施例中,所述包含鋁的碘化物反應(yīng)物是具有式(A)的化合物:
[M+q]z[Al(X)3Iw]q (A),
其中z是0或1,w是0或1,M是選自(i)1族金屬陽離子,選自Li+、Na+、K+、Rb+及Cs+;(ii)2族金屬陽離子,選自Mg2+、Ca2+、Sr2+及Ba2+;及(iii)銨或C1-C6烷基或苯甲基銨陽離子;q是M的價數(shù)且是1或2,及X是氯、溴或碘,條件為當(dāng)z及w是零時,X是碘。
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