[發(fā)明專利]依序編程的存儲器子系統(tǒng)中的異步斷電處置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180031864.8 | 申請日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN115461727A | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·A·拉姆;A·J·韋森貝格;M·溫特費(fèi)爾德 | 申請(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G06F12/0804 | 分類號: | G06F12/0804;G06F12/1009 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 丁昕偉 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 編程 存儲器 子系統(tǒng) 中的 異步 斷電 處置 | ||
一種系統(tǒng)包含NVM存儲器和易失性存儲器,所述易失性存儲器存儲:區(qū)映射數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)(ZMDS),其將邏輯塊地址(LBA)空間的區(qū)映射到區(qū)狀態(tài)并映射到區(qū)索引;日記數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)(JDS);和高頻率更新表(HFUT)。處理裝置將進(jìn)行以下操作:在所述HFUT的條目內(nèi)寫入?yún)^(qū)寫入指針的對應(yīng)于所述區(qū)索引的值,其中所述區(qū)寫入指針包含所述LBA空間中的位置;在所述ZMDS的條目內(nèi)寫入指向所述HFUT的所述條目的表索引值;在所述JDS內(nèi),更新受所述ZMDS和所述HFUT之間的清空轉(zhuǎn)變影響的所述ZMDS或所述JDS中的一個的所述條目的元數(shù)據(jù);和響應(yīng)于異步斷電事件,將所述JDS和所述HFUT清空到NVM裝置。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實施例大體上涉及存儲器子系統(tǒng),且更具體來說,涉及依序編程的存儲器子系統(tǒng)中的異步斷電處置。
背景技術(shù)
存儲器子系統(tǒng)可以包含存儲數(shù)據(jù)的一或多個存儲器裝置。存儲器裝置可為例如非易失性存儲器裝置和易失性存儲器裝置。一般來說,主機(jī)系統(tǒng)可利用存儲器子系統(tǒng)以在存儲器裝置處存儲數(shù)據(jù)且從存儲器裝置檢索數(shù)據(jù)。
附圖說明
根據(jù)下文提供的具體實施方式和本公開的各種實施例的附圖將更加充分地理解本公開。
圖1A說明根據(jù)實施例的包含存儲器子系統(tǒng)的實例計算系統(tǒng)。
圖1B說明根據(jù)一實施例的圖1A的存儲器子系統(tǒng)的額外細(xì)節(jié)。
圖2是根據(jù)各種實施例的說明被配置成支持基于區(qū)的映射的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的實例的框圖。
圖3是根據(jù)一實施例的在高頻率更新表(HFUT)內(nèi)進(jìn)行索引的映射數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的框圖。
圖4是根據(jù)各種實施例的采用日記和高頻率更新表以減小映射數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的大小并且允許響應(yīng)于異步斷電(APL)進(jìn)行清空的映射數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的框圖。
圖5是根據(jù)一實施例的用于高效處置依序編程的存儲器子系統(tǒng)內(nèi)的APL的方法的流程圖。
圖6是根據(jù)另一實施例的用于高效處置依序編程的存儲器子系統(tǒng)內(nèi)的APL的方法的流程圖。
圖7是根據(jù)一實施例的用于在從APL重啟之后恢復(fù)映射數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。
圖8是根據(jù)一實施例的用于在從APL重啟之后驗證經(jīng)恢復(fù)映射數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。
圖9是其中可操作本公開的實施例的實例計算機(jī)系統(tǒng)的框圖。
具體實施方式
本公開的方面針對于依序編程的存儲器子系統(tǒng)中的異步斷電處置。存儲器子系統(tǒng)可以是存儲裝置、存儲器模塊,或存儲裝置和存儲器模塊的混合。下文結(jié)合圖1A描述存儲裝置和存儲器模塊的實例。一般來說,主機(jī)系統(tǒng)可利用包含一或多個組件(例如存儲數(shù)據(jù)的存儲器裝置)的存儲器子系統(tǒng)。主機(jī)系統(tǒng)可提供數(shù)據(jù)以存儲于存儲器子系統(tǒng)處,且可請求從存儲器子系統(tǒng)檢索數(shù)據(jù)。
存儲器裝置可以為非易失性存儲器裝置。非易失性存儲器裝置的一個實例為與非(NAND)存儲器裝置。下文結(jié)合圖1A描述非易失性存儲器裝置的其它實例。非易失性存儲器裝置為一或多個裸片的封裝。封裝中的裸片可指配給一或多個通道以用于與存儲器子系統(tǒng)控制器通信。每一裸片可由一或多個平面組成。平面可分組成邏輯單元(LUN)。對于一些類型的非易失性存儲器裝置(例如,NAND裝置),每一平面由物理塊集組成。每一塊由頁集組成。每一頁由存儲器單元(“單元”)集組成。單元是存儲信息的電子電路。在下文中,塊是指用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器裝置的單元,且可包含存儲器單元群組、字線群組、字線或單獨存儲器單元。
可由存儲器子系統(tǒng)執(zhí)行數(shù)據(jù)操作。數(shù)據(jù)操作可為主機(jī)發(fā)起的操作。舉例來說,主機(jī)系統(tǒng)可在存儲器子系統(tǒng)上發(fā)起數(shù)據(jù)操作(例如寫入、讀取、擦除等)。主機(jī)系統(tǒng)可將存取請求(例如,寫入命令、讀取命令)發(fā)送到存儲器子系統(tǒng),以便在存儲器子系統(tǒng)處的存儲器裝置中存儲數(shù)據(jù)且從存儲器子系統(tǒng)的存儲器裝置讀取數(shù)據(jù)。
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