[發明專利]使用類金屬或者含金屬硬掩模的沉積的選擇性蝕刻

在審

• 申請號: 202180026999.5
• 申請日: 2021-04-06
• 公開（公告）號: CN115380364A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 薩曼莎·西亞姆華·坦;丹尼爾·彼得;阿魯尼瑪·德亞·巴蘭;李英熙;潘陽
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02;H01L21/033
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種相對于較低含氧區域而選擇性蝕刻硅氧化物區域中的至少一個特征的方法，其包含：

提供包含類金屬或含金屬前體以及含鹵素成分的蝕刻氣體；

使所述蝕刻氣體形成等離子體；以及

相對于所述較低含氧區域而選擇性蝕刻所述硅氧化物區域中的至少一個特征并且同時在所述較低含氧區域上方形成類金屬或含金屬硬掩模。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻氣體還包含含碳成分和含氫成分。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述含氫成分以及所述含碳成分包含碳氫化物或氫氟碳化物中的至少一者。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述含氫成分以及所述含碳成分包含CH₂F₂、CHF₃、CH₃F、CH₄、C₄F₆、C₂H₂、CF₄和C₄F₈中的至少一者。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述蝕刻氣體還包含含氧成分，其包含O₂、O₃、CO₂、CO、NO、NO₂、N₂O、SO₂、SO₃、H₂O、H₂O₂和COS中的至少一者。

6.根據權利要求2所述的方法，其中所述蝕刻氣體還包含來自由氮、氦、氬和氖組成的群組的惰性氣體。

7.根據權利要求1所述的方法，其還包含在提供所述蝕刻氣體之前提供選擇性預蝕刻，其中所述選擇性預蝕刻是相對于所述較低含氧區域而選擇性地且部分地蝕刻所述硅氧化物區域的所述至少一個特征而不形成類金屬或含金屬硬掩模，且蝕刻原生硅氧化物層。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述類金屬或含金屬前體以及所述含鹵素成分是類金屬鹵化物或金屬鹵化物。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述類金屬或含金屬前體以及所述含鹵素成分包含WF₆和MoF₆中的至少一者。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述類金屬或含金屬前體中的類金屬或金屬包含下列中的至少一者：硅(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鐵(Fe)、釕(Ru)、錸(Re)、銻(Sb)、鎢(W)、鉬(Mo)、或鉍(Bi)。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述等離子體在2-500毫托的壓強和30-500瓦的功率下形成。

12.根據權利要求1所述的方法，其還包含在相對于所述較低含氧區域而在所述硅氧化物區域中選擇性蝕刻所述至少一個特征并且同時在所述較低含氧區域上方形成所述類金屬或含金屬硬掩模之后，對所述硅氧化物區域的所述至少一個特征進行原子層蝕刻，其中所述原子層蝕刻使用所述類金屬或含金屬硬掩模以降低對所述較低含氧區域的蝕刻。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個特征是具有低于15nm的寬度和至少6:1的深度比寬度的深寬比。