[發明專利]透明導電性薄膜

在審

• 申請號: 202180021801.4
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN115315758A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 藤野望;鴉田泰介
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;B32B9/04;B32B9/00;H01L31/0224;H01B5/16;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/34;H01Q1/38;H01Q1/52;H05K9/00;B32B7/00;B32B7/022
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明的透明導電性薄膜(X)沿著厚度方向(D)依次具備樹脂薄膜(11)和透光性導電層(20)。透光性導電層(20)在與厚度方向(D)正交的面內第一方向具有第一壓縮殘留應力，且在與厚度方向(D)和面內第一方向分別正交的面內第二方向具有比第一壓縮殘留應力小的第二壓縮殘留應力。第二壓縮殘留應力相對于第一壓縮殘留應力的比率為0.82以下。

技術領域

本發明涉及透明導電性薄膜。

背景技術

以往，沿著厚度方向依次具備透明的基材薄膜和透明的導電層(透光性導電層)的透明導電性薄膜是已知的。透光性導電層被用作例如用于對液晶顯示器、觸摸面板和光傳感器等各種設備中的透明電極進行圖案形成的導體膜。另外，透光性導電層有時也被用作設備所具備的抗靜電層。透光性導電層通過例如利用濺射法在樹脂制的基材薄膜上將導電性氧化物成膜來形成。在該濺射法中，以往作為用于撞擊靶(成膜材料供給材料)而使靶表面的原子彈出的濺射氣體，使用氬氣等非活性氣體。關于這種透明導電性薄膜的相關技術，在例如下述專利文獻1中有所記載。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平5-334924號公報

發明內容

發明要解決的問題

在透明導電性薄膜的制造過程中，有時采用在基材薄膜上形成非晶質的透光性導電層后，將該透光性導電層加熱而使其轉化為結晶質的方法。在該情況下，結晶化工藝的加熱溫度越高，則形成的結晶質透光性導電層的電阻值容易變得越小。

另一方面，透明導電性薄膜具備樹脂制基材薄膜，因此，若結晶化工藝中的加熱溫度過高，則會因樹脂制基材薄膜的尺寸變化等而發生各種不良情況(例如透光性導電層的碎裂)。若為了避免這種不良情況而抑制結晶化工藝中的加熱溫度，則對于形成的結晶質透光性導電層而言，有時其電阻值不會呈現充分小的值。具有這種透光性導電層的透明導電性薄膜在具備該薄膜的裝置等的制造過程中歷經加熱工藝時，有時透明導電性薄膜的透光性導電層的電阻值發生變動(例如降低)。制造后的透明導電性薄膜中的透光性導電層的電阻值變動是不優選的。

本發明提供對于抑制透光性導電層的之后的電阻值變動而言適合的透明導電性薄膜。

用于解決問題的方案

本發明[1]包括一種透明導電性薄膜，其沿著厚度方向依次具備透明樹脂基材和透光性導電層，前述透光性導電層在與前述厚度方向正交的面內第一方向具有第一壓縮殘留應力，且在與前述厚度方向和前述面內第一方向分別正交的面內第二方向具有比前述第一壓縮殘留應力小的第二壓縮殘留應力，前述第二壓縮殘留應力相對于前述第一壓縮殘留應力的比率為0.82以下。

本發明[2]包括上述[1]所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層含有氪。

本發明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明導電性薄膜，其中，前述透明樹脂基材不與玻璃基材鄰接。

本發明[4]包括上述[1]～[3]中任一項所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層具有小于2.2×10^-4Ω·cm的電阻率。

本發明[5]包括上述[1]～[4]中任一項所述的透明導電性薄膜，其中，前述透光性導電層具有100nm以上的厚度。

發明的效果

本發明的透明導電性薄膜中，透光性導電層在面內第一方向具有第一壓縮殘留應力，在與面內第一方向正交的面內第二方向具有比第一壓縮殘留應力小的第二壓縮殘留應力，且第二壓縮殘留應力相對于第一壓縮殘留應力的比率為0.82以下。因此，本發明的透明導電性薄膜對于使透光性導電層抑制透光性導電層的之后的電阻值變動而言是適合的。