[發(fā)明專利]分析功率半導(dǎo)體裝置的操作在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180017881.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-02-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115667948A | 公開(公告)日: | 2023-01-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A·布萊恩特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 賴茵豪森機(jī)械制造公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 張小穩(wěn) |
| 地址: | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 分析 功率 半導(dǎo)體 裝置 操作 | ||
1.一種用于分析功率半導(dǎo)體裝置(PS1,PS2,PS3)的操作的方法,其中該方法包括
-提供裝置(PS1,PS2,PS3)的參考電壓(Vn,Vn+1,…VN)的集合和對(duì)應(yīng)的參考電流(In,In+1,…IN)的集合;
-測(cè)量在預(yù)定的時(shí)間間隔內(nèi)裝置(PS1,PS2,PS3)的Nframe個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)電壓(Vmeas(1),…Vmeas(k),…Vmeas(Nframe))和Nframe個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通狀態(tài)電流(Imeas(1),…Imeas(k),…(Imeas(Nframe)),以獲得Nframe個(gè)測(cè)量點(diǎn)(MP(1),…MP(k),…MP(Nframe)),其中Nframe是等于或大于2的整數(shù);
-通過對(duì)Nframe個(gè)測(cè)量點(diǎn)(MP(1),…MP(k),…MP(Nframe))進(jìn)行最小二乘擬合,來(lái)調(diào)整參考電壓(V1,…Vn,…VN)的集合;以及
-使用經(jīng)調(diào)整的參考電壓(V1,…Vn,…VN)的集合分析功率半導(dǎo)體裝置(PS1,PS2,PS3)的操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,分析包括基于經(jīng)調(diào)整的參考電壓(V1,…Vn,…VN)的集合來(lái)估計(jì)裝置(PS1,PS2,PS3)的結(jié)溫(Tj)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2之一所述的方法,其中,對(duì)于最小二乘擬合,假定每?jī)蓚€(gè)相鄰測(cè)量點(diǎn)(MP(1),…MP(k),…MP(Nframe))之間的分段線性近似。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的方法,其中,最小二乘擬合包括
-定義每個(gè)參考電流(I1,…In,…IN)的有效性因子(W1,…Wn,…WN),其中有效性因子(W1,…Wn,…WN)表示測(cè)得的導(dǎo)通狀態(tài)電流(Imeas(1),…Imeas(k),…Imeas(Nframe))與參考電流(I1,…In,…IN)中的每一個(gè)有多近;
-確定每個(gè)測(cè)量點(diǎn)(MP(1),…MP(k),…MP(Nframe))的有效性因子(W1,…Wn,…WN)的集合,得到有效性因子(Wn(1),…Wn(k),…WN(Nframe))的Nframe個(gè)集合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,以如下方式定義有效性因子(W1,…Wn,…WN),使得當(dāng)測(cè)得的導(dǎo)通狀態(tài)電流(Imeas(1),…Imeas(k),…Imeas(Nframe))等于某個(gè)參考電流(I1,…In,…IN)時(shí),與所述參考電流(In,…In,…IN)相關(guān)聯(lián)的有效性因子(W1,…Wn,…WN)等于1,而當(dāng)測(cè)得的導(dǎo)通狀態(tài)電流(Imeas(1),…Imeas(k),…Imeas(Nframe))等于相鄰的參考電流(I2,…In+1,…IN-1)時(shí),與所述參考電流(I1,…In,…IN)相關(guān)聯(lián)的有效性因子(W1,…Wn,…WN)等于0。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法,其中,對(duì)于預(yù)定義的時(shí)間間隔內(nèi)的測(cè)量點(diǎn)(MP(k)),由以下方程組定義有效性因子(W1,…Wn,…WN):
對(duì)于I1≤Imeas(k)≤I2,以及
w1(k)=0對(duì)于Imeas(k)<I1和Imeas(k)>I2;
...
對(duì)于In-1≤Imeas(k)≤In,
對(duì)于In≤Imeas(k)≤In+1,以及
wn(k)=0對(duì)于Imcas(k)<In-1和Imeas(k)>In+1;
...
對(duì)于IN-1≤Imeas(k)≤IN,以及wN(k)=0對(duì)于Imeas(k)<IN-1和Imeas(k)>IN。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試





