[發(fā)明專利]信息處理裝置以及信息處理裝置的驅(qū)動方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180017574.8 | 申請日: | 2021-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN115210870A | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 島久;內(nèi)藤泰久;秋永広幸;高橋慎 | 申請(專利權(quán))人: | 國立研究開發(fā)法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所 |
| 主分類號: | H01L27/105 | 分類號: | H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00;H01L21/8239 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 周春燕;金玉蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信息處理 裝置 以及 驅(qū)動 方法 | ||
1.一種信息處理裝置,其特征在于,具有:
模擬電阻變化元件,其由一對電極和設(shè)置在所述一對電極間的氧化物層構(gòu)成;
并聯(lián)電路,其具有電阻成分和電容成分,
所述并聯(lián)電路與所述模擬電阻變化元件串聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息處理裝置,其特征在于,
作為所述并聯(lián)電路,使用具有電容成分的模擬電阻變化元件,
通過使一對所述模擬電阻變化元件彼此串聯(lián)連接,從而將所述模擬電阻變化元件用作能夠自由改變電阻值的元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信息處理裝置,其特征在于,
所述電極由上部電極和下部電極構(gòu)成,
通過設(shè)置在所述上部電極與所述下部電極之間的所述氧化物層而構(gòu)成電阻成分和電容成分并聯(lián)連接的形式的一個模擬電阻變化元件,
將兩個所述模擬電阻變化元件的所述下部電極彼此連接,通過針對從一個所述模擬電阻變化元件的所述上部電極到另一個所述模擬電阻變化元件的所述上部電極的電路系統(tǒng)施加電壓,從而電阻值能夠變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信息處理裝置,其特征在于,
作為所述氧化物層,通過將電阻率不同的多個層層疊而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信息處理裝置,其特征在于,
多個所述氧化物層的一者的電阻率為小于1000mOhm cm,另一者的電阻率為1000mOhmcm以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項所述的信息處理裝置,其特征在于,
將設(shè)置于基板上的不同的平面位置的多個所述模擬電阻變化元件中的相鄰的一對所述下部電極彼此連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項所述的信息處理裝置,其特征在于,
在基板上的一個平面位置,作為所述模擬電阻變化元件,通過從下層起依次層疊所述下部電極、所述氧化物層、中間電極、所述氧化物層、所述上部電極而成。
8.一種信息處理裝置的驅(qū)動方法,其特征在于,
在具有由一對電極和設(shè)置在所述一對電極間的氧化物層構(gòu)成的模擬電阻變化元件的信息處理裝置中,將具有電阻成分和電容成分的并聯(lián)電路與所述模擬電阻變化元件串聯(lián)連接,并通過電壓施加而使電阻值變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的信息處理裝置的驅(qū)動方法,其特征在于,
作為所述并聯(lián)電路,使用具有電容成分的模擬電阻變化元件,
通過使一對所述模擬電阻變化元件彼此串聯(lián)連接,從而將所述模擬電阻變化元件用作能夠自由改變電阻值的元件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





