[發明專利]彈性波器件在審
| 申請號: | 202180017384.6 | 申請日: | 2021-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN115176416A | 公開(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發明(設計)人: | 門田道雄;田中秀治 | 申請(專利權)人: | 國立大學法人東北大學 |
| 主分類號: | H03H9/25 | 分類號: | H03H9/25;H03H9/145 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;劉余婷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彈性 器件 | ||
1.一種彈性波器件,其特征為,具有:
壓電基板;
以與所述壓電基板接觸的方式設置的電極;和
以與所述壓電基板和/或所述電極接觸的方式設置的聲多層膜,
所述彈性波器件構成為利用彈性表面波的諧振特性中的諧波。
2.根據權利要求1所述的彈性波器件,其特征在于,
所述諧波的彈性表面波相當于聲速9000m/s以上。
3.根據權利要求1或2所述的彈性波器件,其特征在于,
所述聲多層膜交替地層疊有低聲阻抗膜與高聲阻抗膜。
4.根據權利要求1~3任一項所述的彈性波器件,其特征在于,
所述聲多層膜具有將低聲阻抗膜與高聲阻抗膜交替連續地層疊為3層以上20層以下的聲膜。
5.根據權利要求3或4所述的彈性波器件,其特征在于,
所述聲多層膜的各低聲阻抗膜和/或各高聲阻抗膜,由包含Mg合金、SiO2、SiOF、Al、Y、Si、Ge、Ti、ZnO、SixNy、AlN、SiC、Al2O3、Ag、ZrO2、Hf、Cu、TiO2、Cr、Ni、Au、Ta、Mo、Pt以及W中的至少一種的膜或者是包含它們中的至少一種的氧化膜、氮化膜、碳化膜或碘化膜構成,其中,x及y為正的實數。
6.根據權利要求3~5任一項所述的彈性波器件,其特征在于,
所述聲多層膜的各低聲阻抗膜以及各高聲阻抗膜中的至少3層的各厚度,分別為所述彈性表面波的0.012波長~0.118波長、0.105波長~0.2波長、或者是0.216波長~0.275波長。
7.根據權利要求3~6任一項所述的彈性波器件,其特征在于,
所述聲多層膜的各低聲阻抗膜中的至少1層的厚度為所述彈性表面波的0.012波長~0.118波長,各高聲阻抗膜中的至少1層的厚度為所述彈性表面波的0.015波長~0.108波長、0.109波長~0.12波長、或者是0.216波長~0.275波長。
8.根據權利要求3~6任一項所述的彈性波器件,其特征在于,
所述聲多層膜的各高聲阻抗膜中的至少1層的厚度為所述彈性表面波的0.015波長~0.108波長,各低聲阻抗膜中的至少2層的各厚度分別為所述彈性表面波的0.015波長~0.118波長、0.119波長~0.2波長、或者是0.216波長~0.275波長。
9.根據權利要求1~8任一項所述的彈性波器件,其特征在于,
所述壓電基板由LiNbO3或LiTaO3的單晶構成。
10.根據權利要求1~8任一項所述的彈性波器件,其特征在于,
所述電極由設置在所述壓電基板的一表面上的簾狀電極構成,
所述聲多層膜設置為與所述壓電基板的另一表面接觸,
所述壓電基板由LiNbO3晶體構成,歐拉角為(-30°~30°,60°~103°,-15°~15°)以及(90°±6°,90°±6°,-20°~48°)的任意一方,或者是與它們的任意一方在晶體學上等價的歐拉角。
11.根據權利要求1~8任一項所述的彈性波器件,其特征在于,
所述電極具有設置在所述壓電基板的一表面上的簾狀電極、和以覆蓋所述壓電基板的另一表面的方式設置的懸浮電極,
所述聲多層膜設置為與所述懸浮電極的所述壓電基板相反側的表面接觸,
所述壓電基板由LiNbO3晶體構成,歐拉角為(-30°~30°,64°~98°,-15°~15°)以及(90°±6°,90°±6°,-4°~56°)的任意一方,或者是與它們的任意一方在晶體學上等價的歐拉角。
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