[發明專利]選擇性形成含金屬膜的方法

在審

• 申請號: 202180011039.1
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN115003853A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 喬比·艾爾多;雅各布·伍德拉夫;肖恩·圣恩·洪(曾用名：洪圣恩);拉文德拉·坎喬利亞;查里斯·納納亞卡拉;查爾斯·德澤拉
• 申請（專利權）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/455;C23C16/02;C23C16/06;H01L21/02
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 王璐美;武晶晶

1.一種形成含金屬膜的方法，該方法包括：

通過第一氣相沉積工藝或第一液相沉積工藝在第一基材表面上形成阻擋層，

其中該第一氣相沉積工藝包括氣化結構上對應于式(I)的化合物：

其中

X¹是R¹或R²R³；其中R¹是任選地被一個或多個三氯甲硅烷基取代的C₁-C₂₀-烷基；R²是任選地被一個或多個鹵素取代的C₁-C₂₀-亞烷基；并且R³選自由以下組成的組：腈基、乙烯基、鹵素、三氟甲基、乙酰氧基、甲氧基乙氧基、以及苯氧基；并且

其中該第一液相沉積工藝包括使該第一基材表面與包含該結構上對應于式(I)的化合物的溶液接觸；以及

在第二基材表面上通過第二沉積工藝形成該含金屬膜，該第二沉積工藝包括氣化至少一種金屬絡合物；

其中該第一基材表面包含介電材料或金屬氧化物材料并且該第二基材表面包含金屬材料。

2.一種形成含金屬膜的方法，該方法包括：

通過第一氣相沉積工藝或第一液相沉積工藝在基材的第一部分上形成阻擋層，

其中該第一氣相沉積工藝包括氣化結構上對應于式(I)的化合物：

其中

X¹是R¹或R²R³；其中R¹是任選地被一個或多個三氯甲硅烷基取代的C₁-C₂₀-烷基；R²是任選地被一個或多個鹵素取代的C₁-C₂₀-亞烷基；并且R³選自由以下組成的組：腈基、乙烯基、鹵素、三氟甲基、乙酰氧基、甲氧基乙氧基、以及苯氧基；并且

其中該第一液相沉積工藝包括使該基材的該第一部分與包含該結構上對應于式(I)的化合物的溶液接觸；以及

通過第二沉積工藝在該基材的第二部分上形成該含金屬膜，該第二沉積工藝包括氣化至少一種金屬絡合物；

其中該基材的該第一部分包含介電材料或金屬氧化物材料并且該基材的該第二部分包含金屬材料。

3.如權利要求1或權利要求2所述的方法，其中，R¹是任選地被一個或多個三氯甲硅烷基取代的C₁-C₁₅-烷基。

4.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，R¹是各自任選地被一個或多個三氯甲硅烷基取代的C₁-C₁₂-烷基。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，R²是C₁-C₁₅-亞烷基。

6.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，R²是C₁-C₁₂-亞烷基。

7.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，該結構上對應于式(I)的化合物選自由以下組成的組：

正辛基三氯硅烷；

十二烷基三氯硅烷；

11-氰基十一烷基三氯硅烷；

11-乙酰氧基十一烷基三氯硅烷；

(十三氟-1，1，2，2-四氫辛基)三氯硅烷；

10-十一碳烯基三氯硅烷；

11-溴十一烷基三氯硅烷；

11-(2-甲氧基乙氧基)十一烷基三氯硅烷；

11-苯氧基十一烷基三氯硅烷；以及

1，2-雙(三氯甲硅烷基)癸烷。